中车株洲所基于其在功率半导体领域的积淀，建成以国际一流的第六代IGBT技术为基础的汽车用功率半导体生产线，形成从设计、制造、封装与测试等全套能力。
据湖南工信厅消息，我国每年约消耗全球40％的功率半导体器件，是全球最大的功率半导体需求国，但器件国产化率却不足10％，此次增产，将进一步完善湖南在功率半导体领域的产品链和市场布局。
2006年，中车株洲所开始谋划IGBT技术的研究与产品的突破。
2014年6月，由中车株洲所8英寸IGBT芯片成功下线。
2017年，中车株洲所启动技改项目，计划建设年产50万只中低压IGBT模块封装线，主要用于电动汽车领域。
