作为这个行业的技术专家，Gourab Majumdar也介绍了功率半导体最新的技术发展趋势。他介绍说：IGBT芯片技术本身也一直在进步。第三代的IGBT是平板型的构造，第四代是一个沟槽型的构造，第五代成为CSTBT，第六代是超薄化。目前正在开发的第七代IGBT，试图把CSTBT的构造进一步优化，进一步微细化和超薄化，改善关断损耗对饱和压降的折中比例，提高功率半导体的性能。从性能系数来看，第六代已比第一代提高了16倍。如果第七代通过减少无效区间、超微细化等工序，可提高26倍。
在封装技术方面，在小容量消费类DIPIPM产品中，三菱电机采用了压注膜的封装办法。在中容量工业产品、混合动力和电动汽车的New-MPD产品中，采用了盒式封装。在大容量，特别是用在高铁上的产品中，采用了碳化硅铝的芯片，然后用盒式封装完成。今后开发的技术方向，就是朝新绑定技术、高性能、高功率密度、和高Tj发展。对于高耐压的产品来说，提高功率密度、高功率循环和温度循环、提高产品的寿命和绝缘的电压，同时降低热抵抗。而通过不断将半导体的厚度越做越薄，可以使日后的IPM厚度可以跟iPhone差不多。
从硅器件的第一代到第六代或者以后的第七代的技术开发，还没有超出改进的范围，通过对上一代的产品的改进，为客户带来更多方便。而以后从硅器件变成碳化硅器件，可以说是革命性的技术飞跃，新的器件跟过往的完全不同。说到碳化硅半导体功率器件，它有四大优点：第一、工作温度范围比较大，在高温下也可工作；第二、低抵抗、耐高破坏性；第三、高频工作；和第四、散热性好。碳化硅的功率器件用在系统上它有很多好处，功率的密度可以更高，体积可以更小，更加耐高电压压，设计容易，总体来讲可以提高功率半导体的效率，运用的领域可以更加广泛，更为方便。三菱电机利用碳化硅生产出来的第一个产品，就是使用在高铁上的变频器、家用空调上的DIPIPM、和风力发电变换器上的MOSFET器件。
Gourab Majumdar博士认为，总的来说功率半导体的技术发展方向是：第一、硅或碳化硅芯片技术的进步；第二、功率半导体里面集成各种功能；第三、在封装技术上，可以通过压注膜或者是盒式封装，使功率半导体的寿命更长，稳定性更好，功率密度更大。
