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三菱电机推出4引脚 N系列 1200V SiC-MOSFET

发布日期:2020-12-21 浏览次数:1514 来源:三菱电机半导体
 

背景

面对日益增长的节能和环保意识的需求,SiC功率半导体因其显著降低功率损耗的潜力而受到越来越多的关注。三菱电机自2010年将首个集成碳化硅肖特基势垒二极管(SiC-SBD)和SiC-MOSFET功率模块商业化以来,持续为缩小尺寸和提高效率的逆变系统做贡献,如家电,工业设备和铁路机车系统等。


近日,三菱电机宣布将推出一系列新的碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)——采用TO-247-4封装1的N系列1200V SiC-MOSFET。与现有采用TO-247-3封装2的产品相比,其将减少30%的开关损耗。新系列有助于降低功率损耗和需要高压转换的电源系统的物理尺寸,如电动汽车(EV)车载充电器和光伏电源系统。样品已于今年11月开始出货。

1将驱动源极端子与功率源极端子分开,与传统的3引脚封装不同
2三菱电机新闻发布于2020年6月16日:https://www.MitsubishiElectric.com/news/2020/0616.html




N系列TO-247-4封装1200V SiC-MOSFET


Part 01产品特点

(1) 4引脚封装有助于降低功耗和电源系统的物理尺寸

  • SiC-MOSFET具有良好的性能参数(FOM3), 其值为1450mΩ-nC,耐自导通能力强。TO-247-4封装在传统3引脚封装基础上增加独立驱动源极端子。

  • 采用四引脚封装降低了寄生电感,即高速开关时关注的问题。与TO-247-3相比,TO-247-4消除了由电流变化引起的门极电压下降,有助于减少开关损耗约30%。

  • 使用更高载波频率4新型功率半导体有助于减少开关损耗,使冷却系统,电抗器和其他外围部件更小、更简单,从而有助于降低功耗和整体电源供应系统的物理尺寸。

3功率MOSFET的性能指数,通过导通电阻乘以门极电荷(100℃结温)计算。值越小表示性能越好。
4在逆变电路中决定开关元件开/关的频率

(2) 6种型号适用于各种应用,其中三种满足AEC-Q101标准

  • 新产品线包括与汽车电子协会AEC-Q101标准兼容的型号,不仅适用于工业应用,如光伏系统,也适用于电动汽车应用。

  • 漏极端子和源极端子之间的爬电距离(两个导电元件表面上的最短距离)比TO-247-3封装产品更宽,应用更灵活,包括应用在灰尘和污垢容易积聚的户外安装。



销售计划



注:这些碳化硅产品的开发得到了日本新能源和工业技术开发组织(NEDO)的部分支持。

主要规格




环境影响

所有新品均满足RoHS标准(2011/65/EU、(EU)2015/863)

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