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宽禁带功率半导体产业2017年十大新闻

发布日期:2018-01-11 浏览次数:176
 2017年10月20日,由中国宽禁带功率半导体及应用产业联盟(以下简称中宽联)、张家港市人民政府主办的2017年中国宽禁带功率半导体及应用产业论坛大会在江苏张家港隆重举行,取得圆满成功!与会领导、专家、企业家400余人参加此次会议。本次大会旨在搭建宽禁带半导体产业链上下游的互动交流平台,探讨宽禁带功率半导体产业工艺和产业链建设,推进技术协同,推动产业和资本的对接,促进产业良性发展。

  国家工信部科技司科技创新处处长张力超、国家工信部电子信息司集成电路处副处长龙寒冰、国家集成电路产业投资基金有限公司总经理丁文武、张家港市委副书记、市长黄戟、国家工信部电子信息司原副巡视员、中国半导体照明/LED产业与应用联盟秘书长关白玉、中国半导体行业协会副理事长陈贤、中国电子材料行业协会副理事长袁桐、中国科学院微电子研究所所长叶甜春、中宽联联盟理事长、山东天岳先进材料科技有限公司董事长宗艳民等领导出席会议。黄戟市长、宗艳民理事长,龙寒冰副处长,丁文武总经理分别致辞,祝贺大会的隆重召开。

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中央政治局委员、国务院副总理马凯一行莅临北方华创微电子视察指导

  2017年5月18日下午,中央政治局委员、国务院副总理、国家集成电路产业发展领导小组组长马凯、国务院副秘书长丁学东、工业和信息化部部长苗圩、国家发改委副主任胡祖才、北京市副市长阴和俊一行莅临视察调研北京北方华创微电子装备有限公司。
 

  同时,参加陪同的有国务院研究室工交贸易司司长张军立、财政部副巡视员赵长胜、科技部副巡视员邱钢、工业和信息化部电子信息司副司长彭红兵、北京市经济和信息化委员会主任张伯旭、北京经济技术开发区管委会主任梁胜等领导。
 

  京电子控股董事长王岩、北方华创董事长张劲松、副董事长耿锦启、总裁赵晋荣、高级副总裁张国铭等领导参加了接待。
 

  马凯副总理一行听取了北方华创总裁赵晋荣关于北方华创微电子在集成电路装备领域发展情况的汇报,随后进入洁净厂房深入产品研发与制造现场,并详细询问了关于刻蚀机、PVD、CVD、氧化炉、清洗机等集成电路核心装备的研发、生产和市场销售情况。马凯副总理多次表扬北方华创微电子紧跟市场需求,以市场为导向的发展战略;并对应用于集成电路、先进封装、LED、MEMS、光伏等领域的装备大范围实现了国产化替代,取得高占有率给予了肯定和鼓励。

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SiC器件项目通过科技成果鉴定

  2017年8月26日,由中国科学院微电子研究所和株洲中车时代电气股份有限公司共同完成的“高性能SiC SBD、mosFET电力电子器件产品研制与应用验证”项目科技成果鉴定会在北京顺利召开。
 

  本次鉴定会由中国电子学会组织,西安电子科技大学的郝跃院士担任鉴定会主任,中国IGBT技术创新与产业联盟、中电集团五十五所、电子科技大学、北京大学、全球能源互联网研究院、中科院电工所和中科院物理所等各单位专家组成了鉴定委员会。
 

  “高性能SiC SBD、MOSFET电力电子器件产品研制与应用验证”项目实现了高性能SiC SBD 650V/150A、1200V/100A、1700V/50A、3300V/32A和5000V/3A 五个代表品种和SiC MOSFET 600V/5A、1200V/20A 和1700V/5A 三个代表品种,部分产品已用于光伏逆变、轨道交通、电动汽车等领域。
 

  经质询和讨论,鉴定委员会认为该项目在高功率SiC器件结构设计、关键制造工艺和界面态控制等技术取得突破,器件性能达到国内领先、国际先进水平,成果已经在地铁车辆牵引系统运行6000公里,光伏电场挂机发电19.5MWh,混合动力城市客车运行9469公里,具有良好的社会和经济效益。鉴定委员会一致同意该项目成果通过科技成果鉴定。

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  中国首条8英寸氮化镓芯片生产线正式启用

  江苏能华微电子科技发展有限公司,成立于2010年6月,是一家专业设计、研发、生产和销售以氮化镓(GaN)为代表的新一代复合半导体高性能的外延、晶圆、器件及模块的高科技公司。经过7年的沉淀,能华终于跨出历史性的一步,截止2017年6月底,企业一期产业化厂房已经建设完毕,占地达到2万平米,即将进入大规模量产阶段。
 

  长期以来,我国超过80%的半导体芯片源于国外进口, 每年芯片进口支出金额巨大,高达千亿美元,而我国对于第三代半导体芯片的研发也相对较晚,再加上国际环境的影响,我国第三代半导体工艺技术处于世界落后水平。江苏能华微电子科技发展有限公司氮化镓8英寸线的建成,有望打破这一现状。公司从2017年3月正式筹备建设氮化镓8英寸生产线,以满足未来客户需求,目前8英寸生产线已经正式启用,这是中国首条8英寸氮化镓芯片生产线,填补了我国在氮化镓8英寸线这一领域的空白,将带来一场巨大的工艺变革。

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  【北京市新能源汽车技术创新中心正式成立】|“世纪金光”联合发起,第三代半导体创新应用驶入快车道!

  2017年12月9日上午,北京市新能源汽车技术创新中心成立仪式在北汽新能源总部中国·蓝谷举行。北京市委常委、副市长阴和俊,市政府副秘书长刘印春,北京市科委党组书记、主任许强等相关政府领导,北京市新能源汽车技术创新中心发起共建方,汽车与科技领域行业专家,以及北汽集团等相关领导出席了仪式。
 

  北京市科委主任许强在仪式讲话中表示,建设北京市新能源汽车技术创新中心,是落实习总书记重要指示精神和贯彻落实党的十九大报告中,关于“建立以企业为主体、市场为导向、产学研深度融合的技术创新体系”部署的重大举措,对推动产、学、研合作,提升技术创新能力与核心竞争力,更好的支撑全国科技创新中心建设,具有十分重要而迫切的现实意义。
 

  北京市新能源汽车技术创新中心将以打造一个世界级新能源汽车技术创新高地(策源地)为总体目标,力争打造一个“中心”、两个“高地”、三个“平台”,即:具有全球影响力的新能源汽车共性、前沿关键技术的集成创新中心。引领全球的新能源汽车研发、制造、服务的技术、标准、模式的输出高地;新能源汽车高端创新人才集聚高地。国际一流的新能源汽车科研成果转化与产业化平台;面向全球的新能源汽车学术交流、专业咨询、高端人才培养与交流平台;立足北京、面向全球的专注于新能源汽车科研转化的金融创投平台。
 

  此次北京市新能源汽车技术创新中心的发起共建方共计15家,涵盖新能源汽车领域上下游产业链各类优势资源。北京世纪金光半导体有限公司作为首批发起共建方之一出席了该仪式,董事长李百泉作为半导体行业领军人物,与其他14家企业核心代表,共同见证了这个历史时刻。

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  “十二五”国家863计划项目“能源高效转换高压大容量新型功率器件研发与应用”通过验收

  近期,科技部高新司在苏州组织召开了“十二五”国家863计划主题项目“能源高效转换高压大容量新型功率器件研发与应用”验收会。该项目共设4个课题,由西电集团、浙江大学、中电集团五十五所、冶金自动化研究院、中科院电工所等多家单位共同完成。
 

  项目经过多年攻关,研制了基于自主碳化硅外延材料的4500V/100A碳化硅二极管和4500V /50A碳化硅场效应晶体管,并通过了高温反偏、温度循环、功率循环、温度和湿度试验等可靠性试验;研制了10kV/200A碳化硅多芯片串联功率模块;研制了10kV/200A硅基IGBT多芯片串联功率模块,在逆变器样机中进行了应用验证;开发了碳化硅器件和硅基IGBT器件静态和动态参数测试平台,静态测试能力10kV/800A /300°C,动态测试能力6.5kV/800A /300°C;研制了超大容量电力电子变换器全数字控制系统,调速误差小于0.008%,电流动态响应时间小于9.2ms,速度动态响应时间小于80ms;研制了IGCT器件电力电子变换装置,容量21MVA/6.9kV,并在中航工业606所完成了示范应用;研制了基于IGBT模块的MMC变流装置,容量12.5MVA/10kV,并在西电集团完成了示范应用。
 

  作为我国在第三代半导体功率器件领域的一个重要布局,本项目突破了碳化硅功率器件、封装和应用领域的一系列关键技术,解决了我国高压大容量碳化硅核心功率器件从“无”到“有”的问题,构建了我国自主的碳化硅电力电子技术链,培养了一批技术骨干人才,为建立我国自主的碳化硅电力电子产业和能源、交通、制造等重要领域的社会经济发展打下了坚实的基础并提供了良好的保障。
 

  专家组一致认为,该项目完成了立项通知规定的研究内容及主要考核指标,同意该项目通过验收。

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  第三代半导体器件研发应用联合实验室在美的揭牌

  9月1日,美的家用空调与华南理工大学、镓能半导体(佛山)有限公司、厦门芯光润泽科技有限公司四方共建第三代半导体器件研发应用联合实验室协议签署和揭牌仪式在美的家用空调事业部举行。佛山市科技局梁达明副局长、叶伟峰科长、华南理工大学电子与信息学院院长李斌、镓能半导体(佛山)有限公司总经理李孟、厦门芯光润泽科技有限公司总经理徐晓辉,以及家用空调事业部李金波、李猛、冯宇翔、段文训等各方专家和领导出席了仪式。
 

  随着半导体科学的迅速发展,以氮化镓和碳化硅为代表的第三代半导体展现出了许多硅基材料无法比拟的优势,但是在器件制备和实际应用上还面临着一系列的困难。此次合作的各方,美的拥有丰富的下游应用经验,可以把握器件的设计方向,并对应用效果进行验证;华南理工大学作为国内微电子领域的重要高校之一,负责器件理论机理和系统应用方向的基础研发;镓能半导体和芯光润泽分别在氮化镓和碳化硅器件领域拥有丰富的设计与封装经验,将为联合实验室提供器件、芯片和模块等方面的技术支援。联合实验室的成立,旨在结合高校和企业各自的优势,四方将依托该联合实验室平台,立足于第三代半导体,在技术研究、市场应用、人才培养等方面建立全面的、长期的、稳定的战略合作伙伴关系。

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 美国雷神公司联合英国纽卡斯尔大学共同提升碳化硅器件性能

  美国雷神公司联合英国纽卡斯尔大学共同研究碳化硅(SiC)和二氧化硅(SiO2)的接口特性,以提升SiC电子器件性能,特别是雷神公司自己的SiC互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺。SiC和二氧化硅的接口特性对金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的性能具有非常重要的影响。两种半导体材料接口处的缺陷会对MOSFET所能承载的阈值电压和最大电流造成影响。
 

  雷神公司的约翰·肯尼迪表示:“接口处的缺陷成为碳化硅器件大面积应用的主要阻碍,如阻碍了其在宇航、汽车、铁路和能源等领域的应用,而这些领域对高性能器件的需求却在不断上涨。”
 

  对于接口特性的详细研究可使雷神公司通过优化制造工艺来降低缺陷出现的概率,不仅为其功率模块、产品和系统带来具有更高性能的器件,还为使用雷神公司先进代工工艺的客户带来好处。
 

  未来,该项目将发布一系列研究成果,包括SiC/SiO2接口特性的表征、缺陷对MOSFET性能影响的建模、新型氧化物结构和工艺的短循环试验、最佳氧化物结构的全CMOS晶圆集成、研究过程中工艺的不断优化和性能的不断提升等。
 

  肯尼迪总结道:“与纽卡斯尔大学合作的该项研究是我们除正常工作外的额外研究。我们的代工厂仍对全球碳化硅功率器件的研发项目提供支持。处于产品研发周期任何阶段的客户都可从我们的经验和改进的能力中受益,实现从SiC器件和工艺能力研发到满负荷生产的全过程。

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  美国空军授予雷神公司1490万美元的合同,以进一步加强氮化镓(GaN)半导体工艺

  美国空军研究实验室(AFRL)和国防部长办公室(OSD)授予马萨诸塞州沃尔瑟姆的雷神公司1490万美元的合同,以进一步加强其生产基于氮化镓(GaN)半导体的工艺。新协议遵循先前于2013年完成的GaN合同,旨在提高雷神公司生产GaN基多频宽单片微波集成电路(MMIC)和环行器组件的性能,产量和可靠性。
 

  由于GaN可以在微波频率下有效地放大高功率射频信号(增强系统的射程和干扰处理,同时减小尺寸,重量,功率和成本),因此广泛用于军用雷达和防御系统,包括美国海军的空中和导弹防御雷达(AMDR)和下一代干扰器(NGJ)。
 

  雷神公司集成防御系统(IDS)业务部门的先进技术副总裁Colin Whelan认为:“当利用氮化镓技术可以为军事应用带来改变游戏规则的能力时,我们只是触及表面。雷神公司在发展GaN技术上投资价值2亿美元,历时17年,这个合同将建立在此基础上。”他补充说。“在接下来的两年中,我们将进一步完善我们的GaN工艺,以推动射频性能的极限,同时保持或提高产量和可靠性。”
 

  这项技术的第一次验证将被并入雷神空间和机载系统的下一代干扰计划中,该计划预定在2018年进行小批量试生产。

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  丹佛斯与GE合作美国首个碳化硅模块项目

  丹佛斯硅动力事业部为加固其在美国的市场地位,正在与行业巨头通用电器(GE)展开合作。这项合作意味着丹佛斯硅动力事业部将成为碳化硅(SiC)功率模块的世界级龙头供应商。
 

  碳化硅功率模块将成就更小、更快、更高效的电子器件,并且有望对太阳能、风能和未来的电力与混合动力汽车实现技术革新。

  丹佛斯与通用电气此次跨越太平洋的合作将成为纽约电力电子制造联盟(NY-PEMC)的一部分,该联盟位于纽约州北部的尤蒂卡。

  丹佛斯硅动力事业部将于2018年初之前在尤蒂卡建成完整的碳化硅功率模块封装生产线,并将在未来几年创造数百个工作岗位。

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