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英飞凌推出业界首款基于CoolSiC™ G2技术的双向开关碳化硅

发布日期:2026-06-15 来源:英飞凌作者:网络
 2026615, 德国慕尼黑讯】全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出基于成熟可靠750V CoolSiC™ G2技术平台打造的碳化硅(SiC)双向开关(BDS)。该产品采用垂直集成双芯片共漏极设计,采用顶部散热Q-DPAK封装,将两个功率开关整合到同一器件中,既简化了系统设计,也实现了传统拓扑革新。750V CoolSiC™ BDS可提供现代电网和能源系统所需的可靠性裕量,能够在应用的这个生命周期内实现极低的总体拥有成本。

 

 

英飞凌推出业界首款基于CoolSiC™ G2技术的碳化硅双向开关

 

750V CoolSiC™ BDS具备业界领先的RDS(on) × Qfr、优异的RDS(on) × QOSS,以及低Qg值,可有效降低开关损耗与导通损耗,实现超高速、高效的开关动作。在25条件下,典型栅阈值电压VGS(th)4.5V,搭配超低Q GD/Q GS比值,可增强寄生导通抗扰性;扩展后的栅极偏压容限可支持-11V25V瞬态电压,能够提升设计裕量并增强兼容性。该产品额定dv/dt可达200V/ns,可在不影响耐用性的前提下支持高频设计。该产品系列阻值覆盖范围为14mΩ66mΩ

 

该产品专为高要求的电源系统而设计,提供 840 V (BR)DSS,为超过 500 V 的母线电压时提供充足的裕量。此外,它还具有经验证的雪崩耐受性、100 小时内高达 200°C 的过载耐受能力和 2 µs 的短路耐受时间。这些器件能够有效保护系统,免受实际环境中电压浪涌、能量脉冲、瞬态应力以及浪涌电流的影响,确保系统能够长期稳定运行,并具备容错能力。

 

750V CoolSiC™ BDS扩展了英飞凌顶部散热产品家族,可适配当下要求最严苛、发展迅速的应用场景,支持原生液冷设计,通过拓扑层面的设计迭代,实现了全新的能效水平。

 

在汽车应用中,该产品非常适用于车载充电器(OBC)、电动汽车充电以及eFuse(电子保险丝)和预充电电路。与CoolSiC™ H-DPAK半桥器件配合使用,可帮助设计平顺过渡到基于SiC技术的单级车载充电器,让设计不仅兼具高功率密度和高成本效益,而且节省空间。

 

在工业应用领域,它为快速迭代的各类应用场景带来了革新:

 

· 配备原生液冷的HVDC AI电源

· 户用太阳能与储能系统

· 医院及现场数据中心的HVAC系统

· 适用于电动垂直起降飞行器(eVTOL)的电流源逆变器(CSI)驱动

· 电力IT机架中的HVDC保护

· 人形机器人集群快速充电

 

供货情况

 

该产品已开始提供样品。更多信息,敬请访问http://www.infineon.com/coolsic-750v-bds

 

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