CoolSiC™ MOSFET 400 V G2产品组合专为满足高功率与计算密集型应用需求而设计，适用于包括AI服务器电源在内的多种场景
与传统的250V和300V电压等级的硅（Si）技术相比，CoolSiC™ G2 400V和440V MOSFET在120°C工作温度下的导通损耗可降低多达50%，这归功于其导通电阻R(DS(on)随结温（Tj）变化的平稳表现。此外，其开关性能指标显著提升，反向恢复电荷相比传统技术减少了至少五倍。在系统层面，CoolSiC™ G2 400V和440V MOSFET在用于三电平飞跨电容CCM图腾柱PFC ，相较于交错式两电平CCM图腾柱PFC电路，峰值电源效率提升最高可达0.4%，相当于峰值效率下系统损耗减少约15%。
供货情况
CoolSiC™ MOSFET 400V和440V G2产品组合现已上市。更多详情，敬请访问：www.infineon.com/coolsic-400v。
