日前，长飞先进武汉基地项目首批设备正式搬入。
长飞先进武汉基地聚焦第三代半导体功率器件研发与生产，总投资预计超过200亿元，其中项目一期总投资80亿元，规划年产36万片6英寸碳化硅晶圆。
对于半导体行业而言，厂房建设一般主要分为四个阶段：设备选型、设备搬入、工艺验证及产品通线。
2023年8月25日，长飞先进半导体第三代半导体功率器件研发生产基地落户武汉新城；7天后，项目正式启动建设。今年6月，主体结构全面封顶。从打下第一根桩到实现结构封顶，厂房建设耗时不到10个月，创造了百亿级投资项目建设新速度。
长飞先进武汉基地效果图
本次搬入的设备涵盖芯片制造各个环节，包括薄膜淀积、离子注入、光刻、刻蚀等，将为武汉基地构建全链条生产能力、加速通线量产奠定坚实根基。
