在大尺寸材料愈加受到青睐之际，国产碳化硅SiC衬底企业开启快速追赶国际厂商的模式，不断在8英寸SiC衬底领域取得突破。截至目前，已有超10家国产企业研发出8英寸SiC衬底，并在此基础上加快产业化的进程，包括烁科晶体、晶盛机电、天岳先进、南砂晶圆、同光股份、中科院物理所、山东大学、天科合达、科友半导体、乾晶半导体、湖南三安半导体等。其中，科友半导体今年以来在该领域进展较快，现已实现首批自研8英寸SiC衬底的成功下线。 据了解，科友半导体于2022年10月在6英寸SiC晶体厚度上实现40mm的突破，后于12月份宣布，通过自主设计制造的电阻长晶炉产出直径超过8英寸的SiC单晶，晶体表面光滑无缺陷，最大直径超过204mm。 2023年4月，科友8英寸SiC中试线在正式贯通后，同步推进晶体生长厚度、良率提升和衬底加工产线建设，加快衬底加工设备调试与工艺参数优化，并在SiC衬底加工良率和面型参数上不断取得新进展。 2023年5月，科友宣布自研出两种不同加热方式的PVT法晶体生长炉，完成了国产自主1至4代感应炉和1至3代电阻炉的研发，形成大尺寸低成本SiC产业化制备系列技术。在此基础上，科友半导体实现了6英寸SiC单晶衬底的规模生产和批量供货，8英寸SiC单晶衬底的小批量生产及供货，自此开始向碳化硅晶体生长企业提供涵盖设备、材料及技术服务等全产业链的解决方案。 2023年9月，科友首批自产8英寸SiC衬底于科友产学研聚集区衬底加工车间成功下线，这标志着科友在8英寸SiC衬底加工，以及大尺寸衬底产业化方面迈出了坚实一步。 除了加快大尺寸衬底制备技术和产品的研发之外，科友目前也在积极推进SiC扩产项目的建设。目前，科友第三代半导体项目一期已实现量产，全部达产后可形成年产10万片6英寸SiC衬底的生产能力；二期工程也已开工建设，建成后将实现年产导电型SiC衬底15万片。按照发展规划，未来两年将实现年产20-30万片SiC衬底的产能。
