近期，英特尔、格芯、美光、Soitec纷纷开展了其扩产计划，英特尔将投资超200亿美元在美国建设两家芯片工厂；格芯将投资80亿美元将德国德累斯顿芯片厂产能翻番；美光美国内存工厂开工建设，并且其日本工厂获得约13亿美元补贴；Soitec新工厂法国国内落成，计划年产50万片SmartSiC晶圆。总体来看，当前半导体下行接近周期尾声，多家企业看好未来晶圆长期需求，正预备开启新一轮扩产动作，为扩大市场份额做准备。
英特尔将投资超200亿美元在美建设两家芯片工厂
英特尔9月30日表示，其计划在美国俄亥俄州建设两家新的尖端芯片工厂，投资额超200亿美元（约合人民币1460亿元）。部分业界人士表示，英特尔此次巨额投资或是希望获得美国半导体补贴资金。
英特尔此前表示，其目标是在2030年前成为世界第二大晶圆代工厂。近几年，其展开了疯狂的扩产研发路线，如“四年实现五个先进制程节点追逐”，又或是在2030年实现在单个封装中集成一万亿个晶体管，以及开展全球代工服务业务等。
公开消息显示，英特尔目前在全球有10个制造厂，在现有的基地中，包括五个晶圆厂和四个装配和测试设施。过去几年，英特尔不断在这些基地的基础上进行扩产建厂。
今年，英特尔动态频频。9月29日，英特尔表示，其位于爱尔兰价值185亿美元的工厂已开始使用极紫外(EUV)光刻机进行大批量生产，并称这是其寻求重新夺回竞争对手地位的“里程碑”时刻。9月20日，英特尔举办“ON技术创新峰会”，定位为AI PC的酷睿Ultra处理器、AI计算芯片Gaudi2和Gaudi3、第五代至强处理器、先进制程工艺以及先进封装技术进展逐一公开亮相。8月28日，英特尔表示，将于明年推出的一款新数据中心芯片，每瓦特电能可处理的计算工作量将增加一倍以上，这是整个行业降低电力消耗努力的一部分。
格芯计划投资80亿美元，将德国德累斯顿芯片厂产能翻番
9月28日，格芯CEO Thomas Caulfield表示，格芯计划投资80亿美元，到本十年末将其位于德国德累斯顿的芯片制造厂的产能提高一倍。
Thomas Caulfield表示，正在寻求与其竞争对手台积电同等水平的政府支持。
台积电今年夏天批准了一个价值100亿欧元(105亿美元)的工厂建设，德国政府预计将为该工厂提供高达50亿欧元的补贴。今年8月，格芯法务长艾萨（Saam Azar）在接受采访时曾表示，台积电规模比格芯大10多倍，现在打算与格芯的3个主要客户在旁边生产芯片，直接与格芯竞争，为此获得巨额补贴，“这样公平和恰当吗？”其表示。
为加大全球竞争力，格芯近年也在加大扩产力度。据路透社报道，9月12日，格芯宣布其在新加坡投资40亿美元扩建的制造厂正式启用，进一步扩展全球产能。消息显示，扩建后的晶圆厂每年将额外生产45万片300毫米晶圆，将格芯新加坡的总产能提高到每年约150万片300毫米晶圆。
此前2月，格芯宣布与半导体封测厂商安靠（Amkor Technology）结成战略合作伙伴关系，共建葡萄牙大型封装项目。根据公告，格芯计划将其德累斯顿工厂的12英寸晶圆级封装产线转移到安靠位于葡萄牙波尔图的工厂，以建立欧洲第一个大规模的后端设施。同时，格芯将保留其在波尔图转让的工具、流程和IP的所有权。双方还计划在葡萄牙的未来发展工作中进行合作。
据TrendForce集邦咨询表示，在2023年第二季度晶圆代工市场中，格芯（GlobalFoundries）以6.7%的市占率居位全球第三。从营收上看，第二季营收与第一季大致持平，环比增长仅0.2%，约18.5亿美元，其中智能手机及车用领域等营收均有成长。
美光美国爱达荷州内存工厂开工，其日本工厂获得约13亿美元补贴
10月6日，美光在美国爱达荷州的新内存制造工厂正式开工建设。该工厂将与美光位于博伊西的研发中心位于同一地点。据悉，博伊西是美光公司总部、新扩建的卓越技术创新中心以及北美唯一的DRAM研发制造工厂的所在地。
新晶圆厂的洁净室空间预计将从2025年开始分阶段投入使用，美光表示，DRAM产量将在本世纪下半叶随着行业需求的增长而不断增加。最终，洁净室空间将达到600,000平方英尺，竣工后将成为美国有史以来最大的单一洁净室。
此外，10月3日，日本经济产业大臣西村康稔表示，日本将为美光科技(MU-US)广岛工厂的存储器芯片计划，提供高达1920亿日元（约13亿美元）的财政支持，作为确保半导体稳定供应行动的一部分。
“补贴将帮助美光安装荷兰公司ASML的极紫外微影(EUV)设备，来制造先进的芯片，用于生成式人工智能(AI)、数据中心和自动驾驶上。”西村表示，日本这项支持计划，涵盖了美光在日本近40%的投资。
Soitec新工厂法国国内落成，计划年产50万片SmartSiC晶圆
法国创新半导体材料领先企业Soitec近日发表公告，其在法国格勒诺布尔附近的伯宁举行了新工厂落成仪式。
此前2022年3月消息，Soitec宣布在法国伯宁总部建设Bernin 4新工厂，致力于制造6英寸和8英寸的 SmartSiC晶圆。同年3月该工厂举行了奠基仪式。
根据法国媒体的报道，该工厂投资额为3.8亿欧元（约30亿人民币），其中30%由法国和欧洲援助承担。根据公告，该工厂占地面积2500平方米，2028年全部达成后可年产50万片，其中80%专用于SmartSiC晶圆，20%生产300mm SOI晶圆。
该公司表示，新工厂将专门生产电动汽车所需要的SmartSiC衬底，Soitec开发的SmartCut技术可使SiC器件电气性能提高了15%-20%，衬底的消耗量减少了十分之一。具体而言，通过SmartSiC™技术的应用，每个SiC衬底可以使用10次。因此，SmartSiC™使电动汽车的续航里程超过500公里，而使用硅基IGBT的汽车平均续航里程为350公里，同时与单晶SiC衬底相比，晶圆制造过程中的二氧化碳排放量减少了70%。
Soitec 首席执行官Pierre Barnabé 表示：“我们比以往任何时候都更愿意将 SmartSiC技术建立为下一代电动汽车半导体材料的新标准。该工厂将使我们能够满足对碳化硅不断增长的需求，并到2030年实现30%的市场份额，同时帮助提高电动汽车的效率和降低价格。”
现阶段，Bernin 4新工厂主要生产6英寸SiC晶圆，计划从2024年开始迁移到8英寸晶圆。新工厂的第一个测试样品和资格认证将在2个月内开始发货，计划于2024年春末开始大批量交付。
