首款+全国产，中国电科公布碳化硅领域新突破-企业信息-自动化新闻网

首款+全国产，中国电科公布碳化硅领域新突破

发布日期：2023-04-20 作者：网络

4月17日，中国电科宣布旗下55所与一汽联合研发的首款750V碳化硅功率芯片完成流片，首款全国产1200V塑封2in1碳化硅功率模块完成A样件试制。

报道称，在750V碳化硅功率芯片项目中，双方技术团队从结构设计、工艺技术、材料应用维度开展联合攻关，推动碳化硅功率芯片技术达到国际先进水平，目前已进入产品级测试阶段；

而在2in1碳化硅功率模块项目中，双方技术团队围绕新结构、新工艺、新材料开展联合攻关，实现芯片衬底与外延材料制备、芯片晶圆设计与生产、封装结构设计、塑封工艺开发与模块试制等关键环节的全流程自主创新，为碳化硅功率半导体设计与生产全自主化、全国产化打下基础。

据了解，围绕国家科技创新和产业发展重大战略需求，中国电科积极承担事关国家安全、产业基础和核心竞争力的重大任务，在关键核心技术攻关和前沿颠覆性技术布局上取得突出成效。其中，在第三代半导体领域，中国电科捷报频传。

中国电科13所自2004年开始对碳化硅材料、器件进行工艺研究，于2017年实现4英寸碳化硅电力电子工艺线批产供货、2019年又采用改扩建方式完成了碳化硅电力电子6英寸工艺线。2022年9月，13所技术团队又基于6英寸工艺线完成了第三代薄片工艺碳化硅SBD和第三代碳化硅MOSFET产品开发，产品指标均可对标国际一线品牌。

2022年2月，中国电科2所激光剥离项目取得突破性进展，基于工艺与装备的协同研发，实现了4英寸、6英寸碳化硅单晶片的激光剥离。

2022年7月，中国电科45所宣布所研制的双8英寸全线自动化湿法整线设备已进入国内主流FAB厂。据悉，该整线设备满足8英寸90nm～130nm工艺节点，适用于8～12英寸BCD芯片工艺中的湿化学制程。

2022年9月，央视《非凡十年看名企》专题报道了55所在碳化硅器件领域取得的重要突破，以及产品在新能源汽车上批量应用情况。据央视财经当时消息，中国电科的碳化硅器件装车量已经达到100万台，旗下企业已经实现了6英寸碳化硅晶片的规模化生产，年产能达到15万片，处于国内前列。2022年3月还率先发布了新一代8英寸碳化硅晶片产品。

而在SiC定制化和研发难度较高的设备端，中国电科48所以外延、注入、氧化、激活等专用装备为核心，结合立式扩散炉、PVD等通用设备和半导体芯片生产线建线经验，实现国内唯一从碳化硅外延到芯片核心设备的全覆盖，进一步助力国产碳化硅芯片制造“换道超车”。

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