进入下半年，半导体行业结构性分化依旧明显。双碳目标下国内外新能源领域的需求爆发，光伏旺季启动，储能需求持续攀升。据CPIA预测数据：2022-2025年光伏装机量分别为217.5GW、247.5GW、272.5GW及300GW。储能新增装机量分别为100GWh、130GWh、154GWh及188GWh。在光伏储能产业链中，逆变器是将直流电转换为交流电的电力设备，可将直流电转换成频率、幅值可调节的交流电，以满足接入电网的质量要求，是光伏&储能核心部件。在国内能源清洁化的产业发展形势以及国产替代的大趋势下，功率半导体器件供应商，有望充分享受高景气行业带来的高增长。
新能源汽车总体延续恢复发展和向好势头，相关推进性政策发挥良好效能，三季度产销快速增长。五菱宏光mini1-9月累计销量超30万辆，同比增长18.13%,环比增长6.86%。比亚迪1-9月累计销量1,180,054，同比增长249.56%。据乘联会数据：新能源销量前十车型以26.2万辆的总数，占整个9月新能源销量的48.5%，而比亚迪更是占有6个席位，前10有8款车环比都呈现销量上升的趋势。以理想汽车、蔚来汽车以及小鹏汽车等新势力为代表的厂商不断完善产品矩阵和品牌影响力，有力拉动MOSFET和IGBT功率半导体市场长效发展。
精准发力高增长赛道新能源、光储收入快速提升
作为国内领先的高性能功率半导体供应商，东微半导深耕新能源汽车直流充电桩、车载充电机、储能和光伏逆变器、5G基站电源及通信电源、数据中心服务器电源、UPS电源和工业照明电源等领域，形成高压超级结MOSFET、中低压屏蔽栅MOSFET、超级硅MOSFET以及TGBT产品（采用独立知识产权Tri-gate器件结构的创新型IGBT产品）四大产品系列，并通过强大的研发实力和优越的产品性能，成为了量产工业级和汽车级高性能功率半导体厂商，拓展出超过1200家优质的终端客户群体。
通过前瞻性精准布局新能源高景气赛道，近年来东微半导业绩表现优异。2022年1-9月，东微半导实现营业收入79,009.11万元，同比增加41.29%，公司汽车及工业级应用收入占主营业务收入超过77%，主要代表性应用场景如光伏逆变器、车载充电机、新能源汽车直流充电桩、各类工业及通信电源等增速明显。据公司中报数据显示：报告期内，光伏逆变器领域收入较上年同期增长约300%；车载充电机领域收入约为上年同期收入水平的14.5倍。新能源汽车直流充电桩领域收入较上年同期增长逾60%；各类工业及通信电源领域收入较上年同期增长约58%；三季度，东微半导主营产品持续批量出货并新增更多新产品送测认证，对公司主营产品销售增长提供持续推动力。
从应用场景来看，今年东微半导的高压超级结MOSFET及中低压屏蔽栅MOSFET产品在工业及通信电源等主要应用领域业务优势持续凸显。公司在通信电源、基站电源、工业照明以及在各类工业电源、显示电源、适配器电源相关应用领域中对众多头部客户多规格产品持续出货，并不断增加设计新的规格，业务规模持续高增长。
在高景气度的新能源汽车及直流充电桩领域，东微半导的超级结产品已批量出货给比亚迪、英搏尔、铁城科技、英威腾、欣锐科技、威迈斯等车载充电机设计制造领先企业，终端客户涉及多个国内主要的新能源汽车品牌。中低压屏蔽栅MOSFET也批量进入比亚迪、凯斯库汽车部件企业。并获得比亚迪全资子公司弗迪动力有限公司颁发的“2021年度优秀供应商”荣誉称号。公司与国内各主要的直流充电桩电源模块厂商建立了广泛深入的合作关系，持续批量出货客户包括英可瑞、英飞源、特锐德、永联科技、盛弘股份、优优绿能等。
面对光伏+储能两大高增需求场景，东微半导业务拓展速度也十分惊人，目前东微半导超级结MOSFET产品已批量出货给昱能科技、禾迈股份、爱士惟、日月元等公司应用于光伏逆变领域，批量出货给洛仑兹、宁德时代、图为电气等公司应用于储能领域。超级硅MOSFET产品通过全球第一大微逆厂商Enphase Energy的认证，目前已实现批量出货。
值得一提的是，东微半导TGBT产品经过2021年下半年的小批量过程，2022年进入高速增长阶段，成为公司业务的新增长点。东微半导的TGBT产品通过对器件结构的创新实现了关键技术参数的大幅优化，目前已有产品的工作电压范围覆盖600V-1350V，工作电流覆盖 15A-160A，并发展出低导通压降、电机驱动、软恢复二极管、逆导、高速和超高速等系列，特别适用于直流充电桩、变频器、储能逆变器、UPS 电源、电机驱动、电焊机、光伏逆变器等领域。公司第一代650V TGBT芯片的电流密度超过400A/cm2，达到国际主流第七代技术水平；同时，公司第二代TGBT开始批量生产并不断提高单位晶圆产出数量。
上半年，东微半导多款TGBT产品已经批量进入包括爱士惟、拓邦股份、视源股份等在内的光伏逆变、储能、车载充电机等新能源领域头部企业，销售额同比增长高达70倍以上，目前，东微半导TGBT订单充足，产品供不应求，收入占比快速提升，随着TGBT的业务推广及性能不断优化，公司TGBT产品销售将实现持续高速增长。
技术迭代红利释放景气持续高企深化产业链布局
在半导体产业加速发展的时代，技术创新发挥着中流砥柱般的重要作用。
东微半导核心技术人员均在功率半导体领域耕耘超过十年，具有丰富的研发经验。经过持续底层器件结构的自主创新，东微半导在高压超级结MOSFET、中低压屏蔽栅MOSFET以及TGBT产品领域形成了一系列具有自主知识产权的核心技术。在此基础上，公司进一步开发出具有自主知识产权的新型高压超级硅MOSFET功率器件及其工艺技术，以及兼具IGBT与MOSFET功率器件优点的新型高压Hybrid-FET器件及其工艺技术。
从技术先进性来看，东微半导掌握的核心技术大部分为国内领先或国际先进水平。在高压超级结MOSFET领域，东微半导积累了包括优化电荷平衡技术、优化栅极设计及缓变电容核心原胞结构等行业领先的专利技术，公司的GreenMOS系列高压深槽超级结MOSFET产品具有比肩国际一流公司产品的性能，具有较强的市场竞争力；在中低压屏蔽栅MOSFET领域，东微半导亦积累了包括优化电荷平衡、自对准加工等核心技术，主要产品SFGMOS系列以及FSMOS系列应用领域广泛，具有稳定性、可靠性、高应用效率等优点，关键技术指标达到了国内领先水平。公司自主研发的超级硅MOSFET产品具有对标氮化镓功率器件的性能，突破了传统硅基功率器件的速度瓶颈，与传统的功率器件相比具有明显优势。在IGBT领域，公司的TGBT是基于新型的Tri-gateIGBT器件结构的重大原始创新，区别于国际主流IGBT技术的创新型器件技术，基于此基础器件专利，东微半导具备了赶超目前国际最为先进的第七代IGBT芯片的技术实力。公司基于TGBT技术的Hybrid-FET器件及其工艺技术也处于国内领先水平，其性能优势已经被客户所认可。
不仅如此，一直以来东微半导都在遵循公司技术路线图稳步推进各项技术持续迭代，在高压超级结MOSFET、中低压屏蔽栅MOSFET及TGBT产品领域积极进行新一代技术开发，有序推进产品从8英寸转12英寸的工艺平台拓展工作。上半年，公司第二代Tri-gateIGBT技术开发成功，产品性能进一步提升。同时，公司积极布局第三代功率半导体产品，SiC研发项目稳步推进。
基于掌握的先进核心技术和持续技术迭代，东微半导产品规格不断丰富，优质产能持续增加，截止2022上半年，东微半导已自主研发了1150款高压MOSFET产品；以及710款中低压屏蔽栅MOSFET产品。此外，公司自主研发了多个系列的TGBT产品系列共98款。广泛应用包括新能源汽车直流充电桩、车载充电机、储能和光伏逆变器、5G基站电源及通信电源、数据中心服务器电源、UPS电源和工业照明电源、PC电源、适配器、TV电源板、手机快速充电器等领域。
值得一提的是，今年东微半导也在加速产业链布局，公司参设了面向半导体行业及新能源等半导体产业链上下游相关领域的企业和基金进行投资的创业投资基金苏纳微新，该创投基金的设立于有利于东微半导提升产业链协同效应，实现协同发展，推动公司持续、快速、稳定、健康发展。据中国证券投资基金业协会显示，该创投基金已于9月8日成功备案。
结语
