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东芝第三代SiC MOS性能提升80%,将在8月下旬量产

发布日期:2022-08-05 作者:网络
 

日,宣布第三代SiC MOSFET计划在今年8月下旬开始量产。


据了解,该新产品使用全新的器件结构,具有低导通电阻,且开关损耗与第二代产品相比降低了约20%!


据了解,东芝计划在2023年将旗下姬路半导体工厂的SiC功率半导体产量扩增至2020年度的3倍,在2025年度进一步扩增到10倍,东芝的目标是最迟在2030年取得全球10%以上的市场份额。


今年2月4日,东芝宣布将在日本石川县的主要分立器件生产基地(加贺东芝电子公司)打造一座新的12英寸晶圆制造设施,以扩大功率半导体产能。总投资约1,000亿日圆(8.73亿美元),预计2025年3月投产。


东芝表示,该12英寸晶圆厂(100%使用再生能源)建造将分两个阶段进行,以便根据市场趋势优化投资步伐,第一阶段生产计划将于2024会计年度内启动。一旦第一阶段产能满载,旗下功率半导体产能将达到2021年度的2.5倍

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