除了各企业产业链在SiC上的奋进,韩国的高校如嘉泉大学、光云大学和国民大学,以及一些科研院所等也将支持SiC的技术研发。 韩国电气技术研究院(KERI,The Korea Electrotechnology Research Institute )是由政府出资的非营利研究机构。韩国电力研究院通过主导电力和公用事业领域的研发工作来推进科学技术,并在韩国SiC电力电子研究中发挥核心作用。它已经开发了SiC二极管和MOSFET技术,其中一些已经转移到其工业合作伙伴。 今年2月10日,韩国原子能研究院(KERI)宣布,他们已开发出一种可以大批量实现碳化硅晶片掺杂的技术。通过该技术,KAERI已经开发了一个可以同时对1000片4英寸碳化硅晶圆进行掺杂的设备。KAERI的目标是到2023年,真正实现碳化硅功率半导体NTD掺杂的商业化。” 韩国陶瓷工程技术研究所,电子和通信研究所,国家纳米材料技术研究所也是韩国碳化硅基础设施的一部分,他们在碳化硅单晶生长和碳化硅MOSFET制造技术方面的技术上的成就也得到了相关的认可。 从硅到碳化硅的转变,已经不再是能否发生与何时发生的问题,SiC必将开启一个新时代,各国已经纷纷意识到如此。目前来看,韩国的在SiC方面的整体实力较欧美还相对较低,但韩国已经开始在快速应对SiC的到来,大力完善SiC的产业布局,强化竞争优势以期抢夺更多的SiC市场。