据外媒报道，恩智浦（NXP Semiconductors）已宣布与日立（Hitachi Energy）达成合作，双方将推动SiC MOSFET功率半导体模块加速“上车”。
据悉，本次合作的项目旨在为汽车动力总成逆变器开发更高效、更可靠且功能更安全的SiC MOSFET解决方案，包括恩智浦的GD3160单通道隔离式高压栅极驱动器以及日立的RoadPak车用SiC MOSFET功率模块。
据介绍，日立的RoadPak的半桥功率模块采用1200V的SiC MOSFET，将冷却引脚翅片和低电感连接集成在一个小巧的外形中，适用于电动公交车、电动乘用车及高性能的电动方程式（Formula-E）赛车等。
日立表示，RoadPak车用功率半导体模块以高散热能力、低杂散电感及坚固性持久等为特点，可满足汽车严苛行驶环境下的需求，这有助于SiC MOSFET充分发挥优势。而恩智浦的GD3160隔离式高压栅极驱动器可实现快速可靠的开关及故障保护，可驱动达1700V的SiC MOSFET器件。
因此，RoadPak搭配恩智浦的GD3160能够最大程度提升总体性能。
恩智浦表示，双方合作开发的SiC MOSFET解决方案旨在减少牵引逆变器中SiC MOSFET从评估到性能优化的转换过渡时间，最终推动SiC MOSFET加速在汽车领域应用。
相比传统Si IGBT，SiC MOSFET功率器件具有更快的开关速度、更低的导通电阻，且能够减少散热问题，有助于缩小电动车动力总成逆变器的尺寸并降低成本，同时降低电池容量，从而提高续航里程和系统的整体效率，因此已备受电动汽车领域的重视。
研究分析，虽然SiC自身成本优势低于Si，但SiC已实现整车系统成本的下降。
而且，电动汽车电池动力系统逐步高压化，整车架构已开始朝向800V等更高压的方向发展，未来电动汽车市场对于续航里程、缩短充电时间和高系统效率将有着极大的需求，这也将拉动SiC功率半导体产品需求持续提升。
