近日，小鹏汽车表示，将推出国内首个量产800V高压SiC（碳化硅）平台，该平台可实现充电5分钟，补充续航里程200km的能力。
在“1024小鹏汽车科技日”上，小鹏围绕充电技术与自动驾驶发布了多项战略规划。
小鹏汽车将推出国内首个量产800V高压SiC（碳化硅）平台，此平台将支持充电5分钟、续航200公里，充电峰值电流将大于600A，电驱最高效率超过95%。
此外，小鹏汽车称将推出配套的480kW轻量化设计的高压超充桩以及可一次满足30辆车的储能站，自研储能充电技术以缓解高峰时段车主的补能需求。
根据小鹏汽车官方给出的数据显示，目前小鹏汽车已建设439座品牌超充站、1648座充电站。
业内公认，新能源汽车将是第三代半导体SiC/GaN的核心战略市场。
当前，市面上在售新能源汽车所搭载功率半导体多数为Si基器件，如Si IGBT和Si MOSFET。随着技术和产品的成熟，SiC器件将逐步替代大部分Si基产品，大大提高汽车续航里程并优化整车架构。
国内，比亚迪、小鹏、蔚来、吉利等车企开始全方位布局，以SiC“上车”作为目标。其中，比亚迪汉EV是国内首款批量搭载Sic MOSFET组件的车型，公司目前在规划自建SiC产线。
SiC厂商方面，国内已形成了较为完整的SiC材料产业链。
衬底方面，如山东天岳、天科合达、中科钢研节能、世纪金光等；外延片方面，主要有瀚天天成、天域半导体、世纪金光等；器件制造方面，有厦门三安集成、海威华芯等；而IDM企业主要有泰科天润、中车时代、世纪金光、芯光润泽以及中电科十三所、中电科五十五所等。
受益于以SiC为首的第三代半导体下游领域需求的增加，国内政策的推动，中国第三代半导体产业发展潜力巨大。
