根据招股说明书显示，宏微科技本次募集资金拟投资于“新型电力半导体器件产业基地项目”、“研发中心建设项目”和“偿还银行贷款及补充流动资金项目”。通过该项目的实施，公司将不断深化主营业务发展，扩大公司市场占有率，进一步提高公司市场竞争优势和整体盈利水平。
布局功率半导体优质赛道，稳步推动产业发展
据悉，宏微科技自设立以来一直从事IGBT、FRED为主的功率半导体芯片、单管、模块和电源模组的设计、研发、生产和销售，并为客户提供功率半导体器件的解决方案，IGBT、FRED单管和模块的核心是IGBT芯片和FRED芯片，公司拥有自主研发设计市场主流IGBT和FRED芯片的能力。
近年来，受益于国际电子制造产业的转移，我国电力电子产品，尤其是新型电力电子器件如IGBT、FRED、MOSFET等功率半导体器件保持了较快的发展态势。目前，我国已经成为全球最大的功率半导体器件消费国。有公开数据显示，2018年市场需求规模达到138亿美元，增速为9.5%，占全球需求比例超过35%。预计未来中国功率半导体将继续保持较高速度增长，2021年市场规模有望达到159亿美元，2018年-2021年年化增速达4.83%。从而以行业高速发展为契机，协同布局功率半导体优质赛道。
在产业政策支持和国民经济发展的推动下，我国半导体器件行业整体的技术水平、生产工艺、自主创新能力和技术成果转化率有了较大的提升。于是在国家政策支持下，我国半导体行业将迎来良好的发展机遇。
以持续研发投入为保障，奏响自主创新最强音
据了解，宏微科技是目前已具备IGBT、FRED芯片和模块设计、工艺开发、产品封装测试的核心技术。公司始终坚持以技术自主创新为驱动，以持续研发投入为保障，建立了完善的研发体系和强大的研发团队，将进一步提升核心竞争力。
目前，宏微科技产品已涵盖IGBT、FRED、MOSFET芯片及单管产品100余种，IGBT、FRED、MOSFET、整流二极管及晶闸管等模块产品400余种，公司产品性能与工艺技术水平处于行业先进水平。经过多年的积累，宏微科技已拥有较为丰富的优质客户资源，与台达集团、汇川技术、佳士科技、奥太集团、苏州固锝、盛弘股份、英可瑞、科士达等行业龙头或知名企业客户建立了较为稳定的配套合作关系。
值得一提的是，宏微科技主营产品的芯片、单管完全采用自研芯片，模块产品分别采用自研芯片和外购芯片。IGBT、FRED作为功率半导体器件的主要代表，是电气与自动化、电力传输与信息通信系统中的核心器件。此外，宏微科技建立了健全的研发体系和研发管理制度，加强对研发组织管理和研发过程管理，不断强化芯片设计、模块封装测试等工艺技术积累，在核心技术方面不断突破，打造了自身在功率半导体芯片设计领域和模块封装领域的核心能力，为公司未来发展奠定夯实的基础。
汇集多元特色为一体，打造核心元件规模化生产“新篇章”
基于多年的研发技术优势，宏微科技被授予“国家高技术产业化示范工程基地”、“江苏省博士后创新实践基地”，积极参与IGBT国家和行业标准的制定、承担国家和省部级科技重大项目等。宏微科技作为主要起草单位之一，制定了已实施的1项国家标准和10项团体标准，以及已发布即将实施的2项国家标准和尚未发布的5项IGBT相关行业标准。从可比公司来看，如士兰微、扬杰科技、华微电子、台基股份等功率半导体器件公司以单管为主，功率较小，其中士兰微、华微电子IGBT产品以小功率模块为主，与宏微科技产品结构差异较大。而宏微科技却采用了国际先进的IGBT沟槽场阻断技术，以低能耗高功效的特性助力公司持续研发核心技术。
目前，国内可以自主研发IGBT、FRED芯片的公司较少。宏微科技作为集芯片、模块设计、模块封装测试于一体，具备IGBT、FRED规模化生产能力的企业，在推动我国功率半导体材料、芯片、封测的国产化替代上具有极其重大的意义。此外，芯片作为单管产品和模块产品的主要原材料，是单管及模块中的核心元件，其成本控制能力及产品性能的优劣将直接影响厂商的总体利润水平。宏微科技依靠自身工艺、人才、技术等基础核心优势的长期积累，成熟运用芯片的核心设计技术，成功实现了产品链延伸，形成芯片、单管、模块和电源模组的多类型产品布局。
面向未来，宏微科技将持续专注于功率半导体领域，坚持“以客户为中心，以创新为驱动，以人才为根本”的发展理念，始终追求通过自主创新，设计、研发、生产国际一流IGBT、FRED、单管及其模块，打造具有影响力的民族品牌。
