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华微电子:积极布局,重点推进第三代半导体!

发布日期:2021-08-06 作者:网络
 85日,华微电子在网上回复投资者提问。第三代半导体方面,公司正积极布局以SiCGaN为代表的第三代半导体器件技术,重点推进SiC SBD 产品和 650V GaN 器件的开发。


IGBT方面,公司IGBT有产能的最高电压为1350V,在研的最高电压为3300V。


华微电子作为功率半导体龙头,近年来也把目光转向了第三代半导体领域。


作为首家国内功率半导体器件领域上市公司,华微电子坚持生产一代、储备一代、研发一代的技术开发战略,早已积极布局以SiC和GaN为代表的第三代半导体器件的研发、制造。


目前SiC产品已经可以提供二极管产品、GaN器件可以提供快充使用的FET。华微电子表示,下一步,将进一步发挥公司的IDM模式的优势,集中精力研究三代半导体的关键产品技术和应用技术,完善相关生产线开发和制造能力,为消费类、工业和汽车电子领域提供优异的三代半导体电力电子器件。


此前,华微电子发布了第一季度财报,营收为4.65亿元,比上年同期增加了18.67%。归属于上市公司股东得净利润为1099.7万元,比上年同期增加了27.97%。

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