市场连续大跌之后，之前的活跃的各个主线均已偃旗息鼓。目前创业板破位，市场整体的操作难度在加大。但大跌之后往往是寻找布局机会的契机。笔者认为，在国际关系错综复杂的大背景下，国产替代依旧是长期大主线，在国产替代的主题下，具备创新能力的上市公司有望脱颖而出。本文笔者重点谈一个国产替代的细分领域--功率半导体IGBT。
何为IGBT功率半导体
功率半导体器件是电力电子装置实现电能转换、电源管理的核心器件，主要功能有变频、变压、整流、功率转换和管理等，兼具节能功效。功率半导体器件广泛应用于移动通讯、消费电子、电动车、轨道交通、工业控制、发电与配电等电力电子领域。IGBT是功率半导体器件第三次技术革命的代表性产品，现具有高频率、高电压、大电流，易于开关等优良性能，被业界誉为功率变流装置的“CPU”。目前国内外IGBT市场仍主要由外国企业占据。
IGBT功率半导体国产替代的急迫性
目前我国IGBT国产化程度较低，对外依存度超过90%，国内IGBT市场依产量较低，与国内巨大需求相比供不应求。2018年国内IGBT产量1115万只，较2017年的820万只增加了295万只，同比增36%。但2018年国内IGBT产品需求达7898万只，供需缺口达6783万只，国内产量严重不足。
四大领域齐放量，国产替代迫在眉睫。
国产替代需求有以下几个方面：
（1）为保障国防安全，军用功率半导体加快国产化进程。
（3）5G时代的到来会大幅增加通信基站建设，交换机、路由器及供电系统中的逆变器和整流器也对功率半导体有着广泛的应用。
（4）物联网市场的爆发式增长促进功率半导体规模化应用。
有能力实现技术突围的优质企业
比亚迪微电子、中车时代半导体、斯达股份、士兰微等部分企业已经实现量产，并在市场上有不错表现。
此外，近年来，原从事二极管、三级管、晶闸管等技术含量较低的功率半导体厂商，华微电子、扬杰科技、捷捷微电以及台基股份等纷纷向MOSFET与IGBT领域突围，部分下游应用厂商也向上游IGBT领域布局。
