据悉，本次论坛重点讨论议题包括：全球与中国第三代半导体市场及产业发展机遇；中国第三代半导体产业政策与项目规划；新基建相关产业对第三代半导体及材料的需求等内容。除主会场外，本次会议在日本同步安排了云视频连线，日本产业龙头将作大会报告，分享国际最前沿的第三代技术、工艺、材料、设备等信息。
半导体产业链自主化已拓展到第三代半导体技术，目前碳化硅（SiC）、氯化镓（GaN）的生产技术已经较为成熟。它们可以在高频、高功率和高温度环境下工作，广泛应用于第五代射频芯片、军用雷达和电动汽车。
日前，在南京世界半导体大会暨第三代半导体产业发展高峰论坛上，第三代半导体产业技术创新战略联盟理事长吴玲透露：国家2030计划和“十四五”国家研发计划都已经明确，第三代半导体是重要发展方向，现在已到了动议讨论实施方案的阶段。
三安光电和中国电子科技集团等中国科技巨头已经取得了一些进展，但目前量产端面临多重挑战下，第三代半导体材料使用占比仍然较低。万联证券观点称，随着物联网、大数据和人工智能驱动的新计算时代的发展，对半导体器件的需求日益增长，对器件可靠性与性能指标的要求也更加严苛。受益于材料自身优势，以及5G和新能源汽车等应用拉动，市场预估第三代半导体材料在今年就会起量。
万联证券认为，未来政策导入有望加速我国第三代半导体产业发展，以期进一步把握主动。全球范围内，半导体大厂纷纷布局，国内方面，海特高新、三安光电、露笑科技等公司正围绕第三代半导体材料争取卡位时间。西南证券同时认为此外在IGBT等功率半导体晶圆厂中标率较高的北方华创、盛美半导体、至纯科技等有望受益第三代半导体技术发展。
