硫化氢对于功率半导体而言，是最具威胁的腐蚀性污染物。IGBT模块在运行期间温度通常会上升形成高温，再加上施加的电压和硫化氢污染，会发生反应生成硫化铜（Cu2S）晶体。这种导电结构会在陶瓷基板DCB上的覆铜的沟槽内蔓延，最坏的情况是会引发短路。IGBT模块过早地发生故障，会导致逆变器的寿命大打折扣。英飞凌先进的硫化氢保护功能能够防止硫化氢进入模块敏感区域。这个方法不仅独一无二，效率也很高。
与此同时，模块的所有电气、热学和机械参数均未发生改变，同时还保留了和标准模块一样的属性，这便延长了在恶劣环境下运行的系统的寿命。为了确认这一点，英飞凌根据ISA 71.04-2013标准，设计了一个专有的HV-H2S测试，来证明IGBT模块能够在特定条件下运行。该标准根据污染影响的严重程度从“轻度（G1）”到“重度（GX）”划分了四个级别。英飞凌的测试涵盖了广泛的工业应用，为评估IGBT模块的可靠性，提供了一个可量化的方法。
在英飞凌硫化氢技术的保护下，IGBT模块在HV-H2S指定测试条件下未显示出枝晶生长，因此，根据ISA 71.04标准，在“G3（严重）”等级上限（≤ 2000 Å / 50 ppb）条件下， IGBT模块预计可使用20年。具有该保护功能的EconoPACK+可轻松替换标准模块，无需成本高昂且费时的设计工作。此外，借助该功能，使用逆变器系统的公司可省去一些额外的保护措施，比如在逆变器的安装区域乃至密封柜增设空调、温度和湿度控制。
供货情况
具有先进的硫化氢保护功能的EconoPACK+模块现可批量订购，其中电压为1200V的有300A和450A两个型号可供选择，电压为1700V的有300A和500A两个型号可供选择。EconoPIM 2和EconoPIM 3的样品同样可供订购。更多信息，请访问www.infineon.com/h2s。
