由于需要很高功率，12 V汽车系统马达驱动和主电源要求MOSFET在各种应用中具有极低的导通电阻，如电池反向极性保护和高边开关。Vishay Siliconix -30 V SQJ407EP和-40 V SQJ409EP在10 V条件下，导通电阻分别为4.4 mW和7.0 mW，完全可以满足这种要求。此外，作为p沟道MOSFET，两款器件是理想的负载开关，不需要电荷泵提供n沟道器件所需的正向栅压。
日前发布的MOSFET工作温度可达+175 °C，同时鸥翼引线结构可缓解温度循环过程中、主板弯曲、振动和意外跌落产生的机械应力，与刚性QFN封装相比，具有更加优异的板级可靠性。鸥翼引线结构还有助于自动光学检测 (AOI) 过程获得更加一致可靠的结果。
器件采用无铅 (Pb) 封装、无卤素、符合RoHS标准，经过100 % Rg和UIS测试。
SQJ407EP和SQJ409EP现可提供样品并已实现量产。
