ž四家公司将在欧洲部署超快速充电站，2017年首先在400个地方设置充电站，在2020年之前将设置范围扩大至欧洲的数千处。
ž四家公司预期将向超快速充电网络设施投入大量建设资金，设立建设基础设施的合资公司。
ž为了确立无论哪种电动汽车品牌均可便捷使用的充电站，四家公司还将推动其他汽车厂商加入
随着这个市场的不断演进，直流充电桩的整个电压平台都会有变化。
图示1-通往350kW直流充电
第一部分：直流充电桩的需求
直流充电系统是一个整体，是把交流功率系统转化成直流的装置。目前400V的充电桩一般应用在乘用车上，500~700V的应用在大巴车上，整体核心的是充电电源模块，完成AC=>DC的电压和能量转换。随着快速充电的需求不断增加，整个电压平台都会向800~1000V进行提升。
现在不少的快速充电解决方案提供150千瓦、300千瓦和450千瓦不同规格的充电功率。无需单独设立充电站，公交车在停靠终点站时仅需4~6分钟即可通过车顶自动连接装置完成快速充电，在满足线路行驶的用电需求的同时，也使公交车能够安装更小、更轻便的电池组，从而减轻自重，同时提高乘客运输能力。
图示2-大巴的固定直流充电的设施
图示3-大巴顶端直流充电
第二部分：直流充电的功率模块与SiC器件的应用
从充电电源模块而言，分为整流、PFC、DC/DC变压几个部分，有1~2独立的控制器整流和变压部分，如下图所示。以下蓝色的部分为罗姆可以提供的一些器件。
图示4-充电机系统的核心部件概览
AC/DC电路可采用三相交流电输入， AC/DC转换可采用全波整流加PFC升压电路的拓扑结构，也可采用两路PFC升压电路交错并联来提高开关频率和增加功率。影响AC/DC转换的体积、效率和散热等特性，主要的关键因素是PFC电路的开关频率及器件特性。
SiC-SBD：罗姆不断改善元器件工艺，随着产品的更新换代，实现了低VF。开发出使用SiC的SBD(肖特基势垒二极管)，最适合PFC(Power FactorCorrection)电路及逆变器用途。实现了Si-FRD(Fast Recovery Diodes)难以实现的极短的反向恢复时间(trr)，使得高速开关成为可能。由于反向恢复电荷量(Qrr)小，为降低开关损耗和设备小型化做出贡献。
DC/DC电路现在用的比较多的是LLC串联谐振全桥电路拓扑结构。LLC电路的开关频率及器件特性也会影响DC/DC转换的体积、效率和散热这些特性。
图示5- LLC串联谐振全桥电路拓扑结构
选择功率开关管和功率二极管的主要器件特性包括：
ž导通损耗(或导通电阻)
ž开关损耗
ž反向漏电流和反向恢复时间
ž反向耐压
ž温度特性
功率开关管和功率二极管的导通损耗和开关损耗越小、反向漏电流和反向恢复时间越小，开关频率就可以做的越高，反向耐压越高，工作电压选择就可越高，功率效率也就越高。
SiC mosFET同时实现Si元器件做不到的高速开关和低导通电阻，即使在高温条件下也能显示优异的电气特性。为大幅降低开关损耗和周边元器件的小型化做出贡献。简单来说，基于碳化硅的功率器件特别适合高频、高压和高温的工作环境，车载充电机选用基于碳化硅的功率器件是非常好的选择。
图示6- SiCMOSFET特性
图示-7 SiCMOSFET在PFC电路内的应用
小结：在充电技术不断迭代更新的产业环境及市场需求下，使用SiC器件是在未来快速充电领域占据前瞻市场地位的必经之路。
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