华虹半导体在第一代90纳米嵌入式闪存(90nmG1eFlash)工艺技术积累的基础上，于90nmG2eFlash工艺平台实现了多方面的技术提升。90nmG2微缩了Flash的元胞尺寸，较第一代减小约25%，为目前全球晶圆代工厂90纳米工艺节点嵌入式闪存技术的最小尺寸。此外，90nmG2采用了新的FlashIP设计架构，在保证高可靠性(即10万次擦写及25年数据保持能力)的同时，提供了极小面积的低功耗FlashIP。因此，90nmG2eFlash能够大大缩小整体芯片面积，从而在单片晶圆上拥有更多的裸芯片数量，尤其对于具有高容量eFlash的芯片产品，90nmG2eFlash的面积优势更为显著。值得一提的是，90nmG2eFlash在第一代的基础上又缩减了一层光罩，使得制造成本更低。
目前，90nmG2eFlash已实现了高良率的稳定量产，成功用于大规模生产电信卡芯片，并将为智能卡芯片、安全芯片产品以及MCU等多元化产品提供更具性价比的芯片制造技术解决方案。
华虹半导体执行副总裁孔蔚然博士表示：“第二代的90nmG2eFlash工艺的成功量产，标志着华虹半导体在特色化嵌入式闪存技术上的又一次成功。嵌入式非易失性存储器技术是我们的战略重点之一，长期以来凭借着高安全性、高稳定性、高性价比以及技术先进性在业界广受认可。作为全球领先的智能卡IC代工厂，华虹半导体将坚持深耕，不断优化工艺，升级平台，持续领航智能IC卡代工领域，并大力发力物联网、新能源汽车等高增长新兴市场。”
