护岛神山出决胜新武器。台积电先进制程晶圆厂根留台湾，其中2纳米Fab 20超大型晶圆厂已选定建厂地点为新竹宝山，2纳米之后的更先进制程已进入埃米（angstorm）时代，预期台积电将推进到18埃米（1.8纳米），虽然尚未决定设厂地点，但据设备业者指出，台积电18埃米先进制程晶圆厂可望落脚台中，现在中科Fab 15厂旁的高尔夫球场已被纳入考虑。
随著半导体制程将于2024年进入埃米时代，台积电的建厂动向受到业界及市场瞩目，市场传出台积电下一座先进制程晶圆厂可望落脚台中，现在中科Fab 15厂旁的兴农高尔夫球场及军方用地已纳入考虑，台积电若取得用地，将用于建置2奈米以下先进制程的超大型晶圆厂区，并分为第一期到第四期建厂计划，等于会在当地兴建4座12吋晶圆厂。
台积电表示，设厂地点选择有诸多考量因素，台积公司以台湾作为主要基地，不排除任何可能性，维持过去扩厂步调持续与管理局合作评估适合半导体建厂之用地，包含新竹、台中及高雄。目前尚无具体定案，一切以公司对外公告为主。
台积电已确认的先进制程晶圆厂建厂计画，包括南科Fab 18超大型晶圆厂（GigaFab）将建置P1～P4共4座5纳米晶圆厂，P5～P8共4座3纳米晶圆厂。其中P1～P3厂已进入量产，P4～P6厂正在兴建中，未来将再扩建P7～P8厂。另外，南科Fab 14超大型晶圆厂将扩建P8厂为特殊制程生产基地。
台积电竹科Fab 12超大型晶圆厂将扩建P8～P9厂为研发中心，P8厂将在今年完成。台积电预计在竹科宝山兴建Fab 20超大型晶圆厂，将在完成土地取得后启动建厂计划，未来将成为2纳米生产重镇。
台积电Fab 20厂区将分为第一期到第四期、共兴建4座12吋晶圆厂，预计2024年下半年进入量产。台积电2纳米制程将采用纳米层片（Nanosheet）的环绕闸极（GAA）晶体管架构，技术开发进度符合预期。
设备业者表示，台积电2纳米之后的先进制程节点，将推进到1.8纳米（18埃米），预计2026～2027年进入量产。台积电先进制程晶圆厂根留台湾，但适合建厂地点并不好找，而位于台积电中科Fab 15厂区旁的高尔夫球场及周边军方用地已纳入考虑，倘若环评通过并顺利取得用地，台积电可能会在当地兴建18埃米先进制程晶圆厂。
