采用TO-247PLUS-4回流焊封装的CoolSiC™ MOSFET 1400V G2系列
该封装技术支持在 260°C 温度下进行多达三次回流焊操作，并可在结温高达 200°C 的条件下实现可靠运行，同时确保出色的峰值电流能力。借助英飞凌.XT 互联技术，这些器件在严苛的应用环境下，依旧可实现更优的热性能以及更强的机械可靠性。全新 1400 V 电压等级为更快的开关速度提供了额外裕量，并简化了过压保护措施。这有助于降低对功率降额使用的需求，同时提升整个系统的可靠性。
采用TO-247PLUS-4回流焊封装的CoolSiC™ MOSFET 1400V G2，其导通电阻（RDS(on)）等级涵盖6 至 29 毫欧（mΩ），适用于对高功率密度要求严苛的应用场景，例如商用、工程和农用车辆（CAVs）、电动汽车充电以及电池储能系统。英飞凌还提供采用高爬电距离 TO-247-4 封装的 CoolSiC™ MOSFET 1400 V 系列。该产品组合的RDS(on) 等级范围为11至38mΩ，其器件同样适用于光伏等应用场景。
供货情况
采用 TO-247PLUS-4 回流焊封装与 TO-247-4 封装的 CoolSiC™ MOSFET 1400 V G2 系列现已上市。更多信息请访问：www.infineon.com/part/IMYR140R006M2H。
