三菱电机从1994年开始研发SiC-MOSFET，经过试制验证，目前正处于普及扩大的阶段。SiC-MOSFET能够使系统整体的效率最大化，具有滤波器等被动元件尺寸减小和冷却系统小型化等各种优点，逐渐有替换Si-IGBT的趋势。但是，SiC-MOSFET与Si-IGBT相比，由于开关速度快造成浪涌电压高，超过器件额定电压的可能性提升。为了使浪涌电压在器件的额定电压内，其中一种解决方案是增加栅极电阻并减慢开关速度，但这种解决方法没有利用SiC-MOSFET低损耗工作的优点。目前工业用Si-IGBT模块中广泛采用NX封装，在考虑从Si-IGBT易替代性的同时，还可以利用SiC-MOSFET的特点，开发出能够为系统高效率化做出贡献的产品。图1表示外观图，图2表示内部结构图。
