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英飞凌发布《2025年GaN功率半导体预测报告》: GaN将在多个行业达到应用临界点,进一步提高能源效率

发布日期:2025-02-27 来源:英飞凌作者:网络
 2025226, 德国慕尼黑讯】在全球持续面临气候变化和环境可持续发展挑战之际,英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码: IFNNY)一直站在创新前沿,利用包括硅(Si)、碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)在内的所有相关半导体材料大幅推动低碳化和数字化领域的发展。

 

 

CoolGaN

 

英飞凌在 2025GaN功率半导体预测报告》中强调,GaN将成为影响游戏规则的半导体材料,它将极大改变大众在消费、交通出行、住宅太阳能、电信和AI数据中心等领域提高能效和推进低碳化的方式。GaN为终端客户应用带来显著优势,包括提高性能效率缩小尺寸、减轻重量和降低总体成本。如今USB-C充电器和适配器GaN的应用方面已经处于领先有更多行业即将达到GaN应用临界点,从而极大地推动基于GaN的功率半导体市场的发展。

 

英飞凌GaN业务线负责人Johannes Schoiswohl表示:英飞凌致力于通过基于包括SiSiCGaN在内的全部半导体材料的创新推动低碳化和数字化转型凭借在效率、密度和尺寸方面的优势,GaN将在综合功率系统中发挥日益重要的作用。而且鉴于GaNSi的成本差距正在缩小我们预计GaN的利用率将在今年及未来持续增长

 

氮化镓技术对于人工智能的供能需求至关重要。随着AI数据中心算力和能源需求的快速增长,市场愈发需要能够处理AI服务器相关巨大负载的先进解决方案。曾经管理3.3 kW功率电源现在正向着5.5 kW发展,预计未来每台将达到12 kW或更高使用GaN可以提高AI数据中心功率密度,这直接影响到给定机架空间可提供的算力。虽然GaN具有明显的优势,但将其SiSiC结合使用才是满足AI数据中心要求,并在效率、功率密度和系统成本之间实现综合权衡的理想选择

 

在家电市场,由于洗衣机、烘干机、冰箱和水泵/热泵等应用需要达到更高的能效等级,因此英飞凌预计GaN将实现快速发展。例如800 W应用中,GaN可使能效提高2%,从而帮助制造商实现A 级能效。根据英飞凌的研究,基于GaN的电动汽车车载充电器和DC-DC转换器将具有更高的充电效率、功率密度和材料可持续性,而且正向20 kW以上的系统转型GaN还将与高端SiC解决方案一同实现更加高效的400 V800 V电动汽车系统牵引逆变器,增加电动汽车的行驶里程。

 

由于GaN材料能够提高紧凑性,机器人行业2025 年及以后广泛使用GaN,这将推动送货无人机、护理机器人和人形机器人的发展。随着机器人技术自然语言处理计算机视觉等先进AI技术的融合GaN将提供实现紧凑高性能设计所需的效率。例如:将逆变器集成在电机机箱内,既可以避免使用逆变器散热片,同时又能减少每个关节/轴的线缆,并简化EMC设计。

 

为了解决在成本和可扩展性方面的挑战英飞凌正进一步增加对GaN研发投资。凭借丰富的产品和 IP 组合、严格的质量标准以及300 mm GaN晶圆制造和双向开关BDS晶体管等前沿创新技术,英飞凌正以包括GaN在内的所有相关半导体材料为基础,巩固自身在推动低碳化和数字化方面的领先地位

 

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