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英飞凌推出采用新型硅封装的 CoolGaN™ G3晶体管, 推动全行业标准化进程

发布日期:2025-02-27 来源:英飞凌作者:网络
 2025227, 德国慕尼黑讯】氮化镓(GaN)技术在提升功率电子器件性能水平方面起到至关重要的作用。但目前为止,GaN供应商采用的封装类型和尺寸各异,产品十分零散,客户缺乏兼容多种封装的货源。为了解决这个问题,全球功率系统、汽车和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出采用RQFN 5x6 封装 CoolGaNG3 100VIGD015S10S1采用RQFN 3.3x3.3封装CoolGaN™ G3 80VIGE033S08S1)高性能GaN晶体管

 

 

CoolGaN™ G3 100V晶体管与WRTFN-9-2组合


英飞凌科技中压氮化镓产品线负责人Antoine Jalabert博士表示这两款新器件兼容行业标准硅MOSFET封装满足客户对标准化封装、更易处理和加快产品上市速度的需求。


CoolGaN™ G3 100 V晶体管器件将采用5x6 RQFN封装,典型导通电阻为 1.1 mΩCoolGaN™ G3 80 V采用 3.3x3.3 RQFN 封装典型电阻为2.3 mΩ这两款晶体管的封装首次让客户可以采取简便多源采购策略,以及与硅基设计形成互补的布局,而新封装与GaN组合带来的低电阻连接和低寄生效应能够在常见封装中实现高性能晶体管输出。


此外,这种芯片与封装组合拥有更大的暴露表面积和更高的铜密度,使热量得到更好的分布和散发,因此不仅提高热传导性,还具有很高的热循环稳定性 

 

供货情况
采用 RQFN 封装的IGE033S08S1 IGD015S10S1 GaN晶体管样品将20254开始提供

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