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8英寸碳化硅时代呼啸而来!

发布日期:2024-09-09 来源:全球半导体观察作者:网络

 近日,我国在8英寸碳化硅领域多番突破,中国电科48所8英寸碳化硅外延设备再升级,三义激光首批碳化硅激光设备正式交付,天岳先进8英寸碳化硅衬底批量销售,上海汉虹成功制备8英寸碳化硅晶体。8英寸碳化硅时代已呼啸而来,未来将会有更多厂商带来新的产品和技术,我们拭目以待。

 

关键突破!中国电科48所8英寸碳化硅外延设备再升级

 

近日,中国电科48所自主研发的8英寸碳化硅外延设备关键技术再获突破。

 

 

图片来源:中国电科

 

据中国电科官方消息,碳化硅外延炉是第三代半导体碳化硅器件制造的核心装备之一。此次“全新升级”的8英寸碳化硅外延设备,具备更快、更好、更稳定的特点,通过改进激光视觉定位、晶圆自纠偏等技术,设备自动化性能更加成熟,提升产品生产效率。设备还成功引入新的掺杂技术,进一步提升产品良率,持续降低生产成本。

 

三义激光:首批碳化硅激光设备正式交付

 

9月5日,三义激光在官微透露,他们自主研发、生产的首批6&8英寸碳化硅激光滚圆设备顺利完成生产并正式交付客户,标志着公司在高端激光加工设备领域取得了重要进展。

 

 

图片来源:三义激光

 

据悉,三义激光碳化硅激光设备能利用高能激光束进行精准加工,提高生产效率,降低损耗,提升产品良率,为碳化硅的精细加工提供了高效、精准的解决方案,并具激光非接触式加工、7×24小时无间断工作、设备运行无需耗材等优势。

 

上海汉虹:制备8英寸碳化硅晶体

 

8月30日,上海汉虹官微宣布,他们在拉晶实验室中,使用自行研发制造的碳化硅长晶炉成功拉制出高品质8英寸碳化硅晶体,此晶体具备优良的均匀性和低缺陷密度,直径达到200毫米标准,电阻率和晶向均符合高端应用要求。

 

据悉,该晶体的制备使用了上海汉虹自行研发制造的碳化硅长晶炉,采用上进料方式和自动化控制,通过热场旋转及热场工艺稳定性设计,确保晶体生长过程中的温度均匀性和稳定性,目标为新能源汽车5G通讯等新兴产业的进一步发展提供材料基础。

 

天岳先进8英寸碳化硅衬底批量销售

 

近日,天岳先进披露了今年上半年财报,公司 2024 年上半年实现营业收入9.12亿元,较上年同期增长 108.27%。公司连续9个季度保持营收增长趋势。上 半年实现归母净利润1.02亿元,较上年同期扭亏为盈。

 

在技术研发上,天岳先进自主扩径实现了2-8英寸碳化硅单晶和衬底的开发。目前该公司还在开发了液相法长晶技术,这在行业内仅有的极少数。阶段性成果显著,包括公司通过液相法实现了8inchN型4H-SiC单晶及衬底、P型4H-SiC单晶及衬底、N型3CSiC单晶及衬底等制备。

 

销售方面,天岳先进在8英寸衬底上进行了前瞻性布局,已经具备先发优势和领先地位。公司不仅实现8英寸碳化硅衬底国产化替代,公司8英寸碳化硅衬底已经率先实现海外客户批量销售。扩产方面,该公司上海临港工厂二期 8 英寸碳化硅衬底扩产计划正在推进中,公司将分阶段达到规划的8英寸衬底产能。

 

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