CoolGaN™ BDS和CoolGaN™ Smart Sense
CoolGaN™ BDS高压产品分为650 V 和 850 V两个型号，采用真正的常闭单片双向开关，具有四种工作模式。该系列半导体器件基于栅极注入晶体管（GIT）技术，拥有两个带有衬底终端和独立隔离控制的分立栅极。它们利用相同的漂移区来阻断两个方向的电压，即便在重复短路的情况下也具备出色的性能，并且通过使用一个BDS代替四个传统晶体管，可提高效率、密度和可靠性，使应用能够从中受益并大幅节约成本。在替代单相H4 PFC、HERIC逆变器，和三相维也纳整流器中的背对背开关时，该系列器件能够优化性能，而且还可用于交流/直流或直流/交流拓扑结构中的单级交流电源转换等。
CoolGaN™ BDS 40 V是一款基于英飞凌肖特基栅极氮化镓自主技术的常闭单片双向开关。它能阻断两个方向的电压，并且通过单栅极共源极的设计进行了优化，以取代电池供电消费产品中用作断开开关的背对背 MOSFET。首款40 V CoolGaN™ BDS产品的 RDS(on) 值为 6 mΩ，后续还将推出一系列产品。相比背对背硅FET，使用40 V GaN BDS的优点包括节省50% - 75%的PCB面积、降低50%以上的功率损耗，以及减少成本。
CoolGaN™ Smart Sense产品具有2 kV静电放电耐受能力，可连接到控制器电流感应以实现峰值电流控制和过流保护。电流检测响应时间约为200 ns，小于等于普通控制器的消隐时间，具有极高的兼容性。
使用这些器件可提高效率并节约成本。与传统的150mΩ GaN晶体管相比，CoolGaN™ Smart Sense产品在RDSs(on) （例如 350 mΩ）更高的情况下，能以更低的成本提供类似的效率和热性能。此外，这些器件与英飞凌的分立 CoolGaN™ 封装脚位兼容，无需进行布局返工和 PCB 重焊，进一步方便了使用英飞凌 GaN 器件的设计。
供货情况
6 mΩ型号的CoolGaN™ BDS 40 V工程样品现已上市，4 mΩ和9 mΩ型号的工程样品将于 2024 年第三季度上市。CoolGaN™ BDS 650 V的样品将于2024年第四季度推出，850 V的样品将于2025年初问世。CoolGaN™ Smart Sense样品将于2024年8月推出。了解更多信息，敬请访问：https://www.infineon.com/cms/en/product/promopages/GaN-innovations/。
