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英飞凌为汽车应用推出业内导通电阻最低的 80 V MOSFET OptiMOS™ 7

发布日期:2024-04-15 来源:英飞凌作者:网络

2024415德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出其最新先进功率MOSFET 技术—— OptiMOS™ 7 80 V的首款产品IAUCN08S7N013。该产品的特点包括功率密度显著提高,和采用通用且稳健的高电流SSO8 5 x 6 mm² SMD封装。这款OptiMOS™ 7 80 V产品非常适合即将推出的 48 V板网应用。它专为满足高要求汽车应用所需的高性能、高质量和稳健性而打造,包括电动汽车的汽车直流-直流转换器、48 V电机控制(例如电动助力转向系统EPS)、48 V电池开关以及电动两轮车和三轮车

 

 

TDSON汽车OptiMOS™ 7

 

与上一代产品相比,英飞凌IAUCN08S7N013RDS(on)降低了50%以上,最高不超过1.3 mΩ,达到目前业内的领先水平该产品以5 x 6 mm² 封装实现了更小的传导损耗、超强的开关性能和更高的功率密度等优点。此外,IAUCN08S7N013 还具有封装电阻和电感低以及雪崩电流能力强的特点。该半导体器件在汽车应用方面已取得 AEC-Q101标准以上的认证

 

供货情况

IAUCN08S7N013 现已量产上市。更多信息,敬请访问 www.infineon.com/iaucn08s7n013/

 

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