受益于碳化硅下游市场需求逐步放大,外延生长在SiC器件制造成本中占比超20%，SiC外延设备是第三代半导体SiC器件制造的核心装备之一，下游市场的飞速增长，不断的扩产需求也助推了碳化硅外延设备的市场增长，国内的外延设备企业纷纷开始推动布局。
市场竞争也已进入白热化，据InSemi的碳化硅设备市场报告，国内当前碳化硅外延设备的企业数量已接近10余家，国内碳化硅外延市场仅国产设备市场存量已超370台。国产设备的占比在不断提升，2023年国产设备出货量占比已全面超越海外。对比碳化硅全产业链所需设备的国产替代现状，碳化硅外延设备的国产化率“遥遥领先”。
国内以垂直腔设备进行差异化竞争的公司芯三代在2023年出货和市占也有进一步的提升，据芯三代披露的信息，公司将工艺和设备紧密结合研发的SiC-CVD设备通过温场控制、流场控制等方面的设计，在高产能、6/8英寸兼容、COO成本、长时间多炉数连续自动生长控制、低缺陷率、维护便利性和可靠性等方面都具有明显的优势。
芯三代落户在美丽的金鸡湖畔
芯三代半导体科技(苏州)股份有限公司（以下简称“芯三代”）成立于2020年，是一家根植本土，拥有全球高端人才和自主知识产权的尖端半导体芯片制造设备公司。致力于建立以中国为甚地、世界领先的第三代半导体产业关键设备和核心技术平台，团队核心管理和技术专家均来自国际国内一流的半导体设备公司、行业头部企业以及顶尖研发机构，有数十年多种高端半导体芯片制造设备研发和产业化的成功经验。
公司首期聚焦SiC外延装备，拟建立以中国为基地，世界领先的第三代半导体及泛半导体关键技术和高端装备的研发和产业化平台，旨在实现第三代半导体SiC外延设备（SiC-CVD）的国产化，突破国外公司的长期技术垄断局面，实现国产替代。
公司主营产品为基于超高温CVD技术的垂直进气碳化硅外延设备系列，该产品系列由单腔单片6英寸、双腔单片6英寸、单腔单片8英寸、双腔单片8英寸等不同产品组成，用于6/8英寸碳化硅同质外延生长。通过超高温CVD方式精确控制各种气体流量来精确控制薄膜的厚度、组分和导电类型，在SiC衬底晶片表面制备大面积、高均匀性的外延膜，给第三代半导体功率芯片器件制造提供基础材料，是制造碳化硅功率芯片的关键设备。
2023年3月29号，作为江苏省科技创新企业代表，芯三代亮相央视新闻联播。2023年下半年，芯三代自主研发的8吋垂直气流外延设备已经帮助两家客户顺利完成8吋SiC外延工艺的调试和首批8吋外延片订单交付，从而证明国产外延设备不仅在6吋SiC上已经实现超越，在8吋SiC上也取得突破性进展，尤其在缺陷率指标上更胜一筹。
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核心优势
自成立以来，自主申请92项知识产权，授权知识产权43项，其中授权发明专利12项。公司现有团队100人，其中博士3人，硕士13人，研发人员40人左右。2020年9月，公司初创，创始股东为江苏省产业技术研究院、苏州工业园区领军创业投资公司。公司2023年5月完成C轮融资且资金全部到位，目前公司在做新一轮D轮融资。
公司获得荣誉和项目支持
2023年
2022年
江苏省科技成果转化专项资金项目支持
“江苏省潜在独角兽企业”认定
2021年
中国创新创业大赛初创组优秀企业
“创业江苏”总决赛初创组一等奖
2020年
姑苏实验室“第三代半导体碳化硅外延设备”首批立项和园区重大领军立项
在5G和新能源汽车等新市场需求的驱动下，第三代半导体材料迎来加速发展。据悉，2024年6月26-28日 芯三代将带着高端的碳化硅外延装备与技术亮相SEMI-e2024第六届深圳国际半导展，同期第三代半导体产业发展高峰论坛，与行业精英汇聚一堂，共同探索第三代半导体的发展之路。
