近期，三星电子旗下晶圆代工事业Samsung Foundry 透露，已开始跟大型芯片客户接洽，准备提供1.4nm及2nm制程的服务。
据朝鲜日报报道，对于三星率先量产3nm（环绕式闸极，gate-all-around，GAA）制程、大客户方面却不如台积电的言论，Samsung Foundry科技长Jeong Ki-tae近日在韩国国际会议暨展示中心（COEX）举行的2023年半导体博览会（Semiconductor Expo 2023）表示，晶圆代工客户大约需要3年才能做出最终购买决定。三星正在跟大客户接洽，可能在未来几年展现成果。
Jeong表示，GAA制程是一种可以延续到未来的技术，鳍式场效电晶体（FinFET）制程则无法更加精进，公司已在跟大客户讨论2nm、1.4nm等未来制程。
晶圆代工先进制程进展如何？
相较于成熟制程，先进制程更适用于追求高性能、低功耗的领域。随着AI、高性能计算等新兴技术的驱动下，先进制程需求持续增长，半导体巨头们执迷追求新技术研发，芯片先进制程已从5nm、4nm、发展至3nm，未来还有可能到达2nm、1.4nm。
从当前大厂研发进度看，三星已量产第二代3nm芯片，并计划2025年底前推出2nm制程、2027年底前推出1.4nm制程；
台积电预计N3P将于2024年下半年投产，N3X、2nm工艺计划2025年进入量产阶段。台积电介绍，公司将在2nm制程节点首度使用Gate-all-around FETs（GAAFET）晶体管，相较于N3E ，该工艺在相同功耗下，速度最快将可增加至15% ；在相同速度下，功耗最多可降低30% ，同时芯片密度增加大于15% 。
英特尔正努力推进“四年五个制程节点”计划，目前其Intel 7和Intel 4已实现大规模量产；Intel 3制程预计在今年下半年可进入准备量产阶段，后续Intel 20A与18A制程则分别计划于2024年上、下半年也进入准备量产阶段。
此外，业界认为，可能在接下来的短期内，英特尔在先进制程晶圆代工领域会以Intel 3制程为主打，以应对台积电、三星等业者的竞争。
