继美国商务部7月9日宣布将杭州华澜微电子列入实体清单后，据美国之音在当地时间7月12日报道，美国国会议员发函要求商务部将中国大陆存储企业长江存储列入出口管制实体清单。一周内，美国商务部连续盯上了中国大陆两家存储技术公司。
7月14日，中国台湾经济日报就美方此举发表评论称，这或意味着中国的存储产业已经进入了美国制裁范围，美方有意从存储领域最上游的控制IC、到存储芯片全面封锁，务求不让大陆掌握存储产业的关键技术。
据路透社相关文章报道，两家中国存储企业被盯上的原因类似：
华澜微电子被列入美国出口管制实体清单原因是美国商务部认为“参与违反美国国家安全与外交政策活动，正在采购或试图采购源自美国商品，以用于未经授权的军事用途。”
而美国议员在致函商务部长雷蒙多中宣称，“大陆NAND Flash龙头长江存储与军方关系密切，危及美国国家安全。”
从两家企业的主营业务来看，美方对中国大陆的存储产业确实关注有加。
据杭州华澜微电子官网介绍，该公司专业从事数据存储和信息安全的核心技术研究，提供数据存储和信息安全领域的集成电路芯片和技术方案，其芯片主要有移动存储控制器芯片、固态硬盘控制器芯片、Bridge控制器芯片和硬盘阵列控制器芯片四大系列，是中国大陆唯一全系列拥有数码存储控制器芯片的高科技公司。
图源：华澜微电子官网
而长江存储官网显示，该公司成立于2016年7月，是一家专注于3D NAND闪存设计制造一体化的IDM集成电路企业，同时也提供完整的存储器解决方案。
据了解，存储芯片是电子产品不可或缺的零部件，NAND Flash芯片主要负责数据储存，涉及资料写入、抹除等程序。当下海量的数据资料大都存储于云端，NAND Flash芯片作为存储载体地位特殊，尤其是当这类芯片用于国防领域的时候，更是攸关国家安全，因此引起美方注意。
以“涉军”为由拉黑中国企业是美方惯用伎俩，但有业内人士表示，美国有意“拉黑”中方存储企业的意图还在于快速消除中国存储企业崛起威胁美企相关市场的可能。
以被美国议员建议列入实体清单的长江存储为例，长江存储主攻的是NAND Flash 市场，据IDC调研数据显示，2019年Flash MEMORY 市场规模整体约 460 亿~480 亿美元，占总体存储市场规模约 26%，位列数字存储市场规模第三。其中NAND Flash 市场规模约为 440 亿美元，且近年来呈上升趋势。
而在该领域中，向来是以美日韩企业为领头羊。据Statista数据显示，2019 年NAND Flash市形成三星、铠侠、西部数据、镁光、SK 海力士、Intel 主导的 NAND Flash 市场格局，分占市场份额的 33.5%、18.9%、14.3%、13.5%、9.7%和 9.5%，CR6 高达 99.4%，市占前六的美日韩企业们几乎垄断了整个NAND Flash市场，其中美企占据38.3%。在高度垄断的NAND Flash市场中，厂家的议价权也较为强势。
图：2019 年 NAND Flash市场竞争格局
来源：国信证券经济研究所
但近年来中国企业在 NAND Flash领域进展较快。3D NAND是当前NAND Flash技术主流方向，全球能够实现量产3D NAND的公司只有三星、美光、英特尔、海力士、长江存储等十几家厂商。截止2019年末，美光、海力士、三星、西部数据等国际大厂均已成功研发100+层的3D NAND。2020年4月，长江存储也宣布直接跳过96层，成功研发128 层 TLC/QLC 两款产品。
在产能上，长江存储也在奋力直追，长江存储国家存储器项目于2016 年底开工，总投资240 亿美元，分两期建设3D NAND 闪存晶圆厂，目前进展顺利。
值得注意的是，就当前而言，中国存储企业还不足以对全球存储芯片供应市场产生决定性的影响，美方究竟是否已经对中国存储技术的发展产生忌惮之心还要看其后续举动来了解。
