SK海力士宣布，已在本月开始量产基于1a nm级工艺技术的8Gigabit（Gb）LPDDR4移动端DRAM产品，这属于第四代10nm制程技术，是专为移动终端开发的低功耗DRAM规格。
10nm级DRAM产品开始，半导体业内将每一代工艺节点都以标注字母的方式起名，第一代是1x nm、第二代是1y nm、第三代是1z nm、第四代是1a nm，SK海力士预计从今年下半年开始就可以向智能手机制造厂商供应1a nm级工艺技术的移动端DRAM产品。这次比较特别的是，SK海力士通过部分采用了EUV（极紫外）技术，完成了对其稳定性的验证，首次使用EUV光刻设备进行量产。
SK海力士表示，非常期待新技术带来的生产力提升，并在成本上进一步提升竞争力。预计采用1a nm级工艺技术可以在使用相同尺寸晶圆的情况下，生产的DRAM产品数量比前一代的1z nm级工艺技术增加25%，这有助于缓解全球市场的供应短缺情况。随着技术的迁移，越来越多的半导体企业采用EUV光刻设备生产芯片，一家半导体企业在技术上的领先取决于如何充分利用DUV光刻设备。
新产品的速率将稳定在4266 Mbps，是标准LPDDR4移动端DRAM规范中最快的传输速率，同时功耗将降低20%，SK海力士将从明年初开始将1a nm级工艺技术应用于旗下的DDR5产品。在未来，三星和美光都将启用EUV光刻设备生产DRAM产品，但美光会更晚一些，按计划要等到2024年。
