※1 Silicon Carbide：碳化硅
※2 Schottky Barrier Diode：肖特基势垒二极管
1、通过采用碳化硅，有利于降低系统损耗和体积
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通过使用碳化硅大幅降低开关损耗，降低约21％的电力损耗※3
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实现高速开关，有利于缩小电抗器等配套零部件的体积
※3 与内置PFC电路的三菱电机产品功率半导体模块“DIPPFCTM”上搭载的Si（硅）二极管相比
2、通过采用JBS结构，提高可靠性
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采用pn结与肖特基结相结合的JBS※4结构
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通过JBS结构提高浪涌电流耐量，从而提高可靠性
※4 Junction Barrier Schottky
3、由5个产品构成的产品阵容可对应各种各样的用途
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除了通常的TO-247封装外，还采用了扩大绝缘距离的TO-247-2封装
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除民用品外还可对应工业等各种各样的用途
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产品阵容中还包括符合AEC-Q101※5的产品（BD20120SJ），也可对应车载用途
※5 Automotive Electronics Council：车载电子零部件质量规格
新产品发售概要
销售目标
近年来，出于节能环保的考虑，人们对能够大幅降低电力损耗或利用SiC实现高速开关的功率半导体的期待逐渐高涨。三菱电机自2010年起陆续推出了搭载SiC-SBD、SiC-MOSFET※6的SiC功率半导体模块，广泛应用于空调以及工业机械、铁路车辆的逆变器系统等，为降低家电及工业机械的耗电量，缩小其体积和重量做出了贡献。
在这一背景下，此次将发售采用了SiC的功率半导体“SiC-SBD”。在电源系统中应用“SiC-SBD”，将为降低客户的系统耗电量，缩小体积做出贡献。
主要规格
※7 8.3msec, sine wave
SiC-SBD系列的产品阵容
粗框内为本次的新产品。
