2016年6月28日，中国上海，英飞凌工业功率控制事业部媒体见面会。2016年07月01日，中国深圳，英飞凌IGBT技术研讨会。从上海到深圳，从宣扬技术到探讨技术，英飞凌工业功率控制事业部由表入里向我们展示了一个技术创兴型公司深厚的实力。
英飞凌公司组织架构下有四大部门，分别是汽车电子事业部，工业功率控制事业部，智能卡与安全事业部，电源及多元化市场事业部。英飞凌工业功率控制事业部有着领先的尖端科技和知识产权组合积累，在此基础上始终专注于系统技术的开发和应用，结合英飞凌遍及全球的强势业务网络和分销商伙伴，英飞凌工业功率控制事业部的销售团队和技术支持团队可以高效地为客户带去最优质的产品和服务，英飞凌就在你身边！
英飞凌工业功率控制事业部的产品范围涵盖主要有：IGBT模块，IPM模块，分立式IGBT及晶圆，驱动IC，功率组件。这些产品在市场的竞争力极强，就IGBT产品来说，英飞凌在分立式IGBT半导体市场位列全球第一；在IGBT模块市场排名第二，综合起来，2014年英飞凌全球IGBT产品（模块和分立式器件）的市场份额位列第一！ 英飞凌四大部门在2015年实现营收58亿欧元。从市场规模来看，工业功率控制事业部在162亿美元的功率半导体产品总市场规模中居市场第一，汽车电子事业部在274亿美元的汽车电子产品总市场规模中居市场第二，智能卡与安全事业部在26.3亿美元的智能IC卡产品总市场规模中居市场第二。英飞凌在其所专注的市场始终位列前茅。
上海和深圳的两次交流会上，英飞凌公司工业功率事业部都向与会者展示了其最新的产品和技术，无不彰显着英飞凌半导体技术的领先性。
SiC产品的高开关频率，大功率，高效率等特性让人印象深刻，它的出现不仅能够补充硅技术，还打开了目前硅技术无法满足的新应用领域，因此SiC技术一直是半导体公司最主要的努力方向之一，而英飞凌公司早在1992就开始了对SiC技术的探索，至今，英飞凌已有超过15年的SiC功率器件批量生产经验，英飞凌在SiC技术领域一直处于领袖地位！
在刚过去的PCIM 2016上，英飞凌推出了全新 MOSFET 技术的产品，相对硅器件，SiC MOSFET有更低的门极电荷Qg及电容，工作状态下无反向恢复电荷，开关损耗不会受温度影响，也不存在如IGBT的最低导通压降问题，除了这些相对优势，英飞凌SiC MOSFET自身的优异的性能也值得称道，它具有高可靠度的门极氧化层以及最佳的开关及导通损耗，同时其高门极增益大大简化了驱动要求，栅极电压阀值Vth只有4V，还具有很强的抗短路能力。这一切为客户带来的好处是显著的，首先是更高的可靠性和更长的寿命，然后可以实现更高功率密度和更高工作频率，而这一切都将以极高的效率来完成，散热要求因此得以降低。此外，英飞凌还为我们带来了最新的第五代 碳化硅二极管，新产品的温度系数有了很大的改善，电流密度更高，可抗浪涌电流能力更强，除了作为单管运用到PV微型逆变器、UPS等电力器件中，英飞凌还将SiC二极管和Si IGBT组合应用于62mm级别的功率模块中，新模块的开关损耗降低了40%，综合性能提升显著。
除了在新锐的SiC技术上为我们带来了惊喜，英飞凌在IGBT模块技术上的持续进步也让人惊叹。深圳IGBT技术研讨会上，英飞凌公司工业功率控制事业部的市拓展经理陈子颖先生向与会者介绍了英飞凌在其新推出的IGBT模块产品里最具代表的 ， 模块使用了英飞凌2015年推出的第五代IGBT芯片：IGBT5，并采用了代表下一代模块封装技术的.XT模块封装技术，相对采用前代封装技术的IGBT4模块产品， 模块得功率密度提高了25%，工作寿命则延长了10倍！ 在提高光伏逆变器等大功率电力产品性能的同时显著减小其体积，产品的效率得以提高，产品的维护成本得以下降。在探索IGBT技术的过程中，英飞凌似乎发现了IGBT和二极管之间更好的结合方式，在其最新的RCDC（二极管可控逆导型IGBT）中英飞凌将IGBT与二极管集成在了单芯片上，相对传统的IGBT开关中的 IGBT和二极管芯片，新一代RCDC上IGBT硅面积增加了50%，二极管硅面积则增加了100%，整体硅面积随之增大，模块热扩散因此得到改善，从而让模块获得优异的散热性能。由于IGBT及二极管工作模式都在同一有效硅面积增大的芯片上，IGBT 及二极管的热耦合因此得到了增强，温度的波动随之降低，这一特性在低输出频率时尤为明显，模块工作寿命受益于这些特性变得更长。
机会是给有准备的人准备的，在中国提出《中国制造2025》之际，英飞凌作为一家优秀的半导体公司，已经为这一场即将改变中国未来整个制造业面貌的变革做好了充足的准备。英飞凌清楚地知道自己的实力，也深刻地理解《中国制造2025》，知己知彼，这就是英飞凌的准备。
为了加快从制造大国转向制造强国，中国政府提出了三个十年“三步走”的战略。第一个十年，到2025年实现中国进入制造强国之列；第二个十年，到2035年，进入世界强国的中位；第三个十年，2045年，中国要进入世界制造强国的领先地位。《中国制造2025》是三步走中第一个十年的行动纲领。《中国制造2025》主要致力于信息化和工业化的深度融合并坚持创新驱动、智能制造、绿色发展，提升产业的竞争力以应对西方国家再工业化以及新兴发展国家的产业结构调整，相应地需要在十大领域内取得突破，分别是新一代信息技术产业；高端数控机床和机器人；航空航天装备；海洋工程装备及高技术船舶；先进轨道交通装备；节能与新能源汽车；电力设备；新材料；生物医药及高性能医疗器械。
英飞凌深刻理解作为中国国家战略的《中国制造2025》蓝图面临着与德国不同的现实与挑战，中国需要真诚的帮助来实现这一蓝图，为此英飞凌愿提供自身在生产执行系统(MES)设计领域所积累的经验与知识，以中德政府间在智能制造领域的合作为契机，结合英飞凌在工业生产制造领域的半导体产品及解决方案，携手本土和国际合作伙伴，积极参与《中国制造2025》并提供相关咨询，为中国的发展作出力所能及和应有的贡献。
正如英飞凌的一直主张的“Part of your life，Part of tomorrow”——“同生活，共未来”，英飞凌始终以真诚的产品和服务来提升人们的生活品质，注重产品的节能，环保，高效，保护地球，为更好的未来努力，秉持这一理念，在中国，英飞凌将用心助力中国的发展！
2016年06月28日上海PCIM 2016英飞凌媒体见面会
2016年07月01日深圳2016英飞凌IGBT技术研讨会
