为加快推进下一代半导体光刻技术——纳米压印光刻（NIL）技术的研发，东芝公司与SKHynix公司于2014年12月达成联合开发的基本意向，2015年2月5日，双方正式签订协议。
NIL技术，是存储器进一步精细化所不可或缺的下一代半导体光刻设备的候选技术。与当前所使用的一般在描绘电路图的光掩模上照射激光而完成硅晶片转录的光刻技术相比，NIL技术则将深挖型电路图直接紧贴硅晶片而进行转录，其加工将更加精细化。
此前，东芝公司一直与各家半导体制造设备及材料厂商联合推进NIL技术的开发。将自己的半导体制造工艺技术同半导体制造设备及材料厂商的技术相结合，以实现NIL技术在设备和工艺流程方面的应用。而这次，东芝公司通过与SKHynix公司合作共同开发纳米压印光刻技术，不仅可以削减开发成本，还可进一步加快该技术的市场应用。东芝公司称公司今后将积极推进NIL技术和极紫外光刻技术等下一代光刻技术的研发，切实促进存储器产品的精细化，进一步加强存储器业务。
今年4月份，在东芝横滨事业部，两家公司的技术人员将共同启动NIL工艺要素技术开发，并计划2017年实现成果转化。
