无线技术的便利性已经得到所有人的认可，无线技术的优势也通过技术的不断演进变得越来越明显，从而带动整个无线市场的快速普及。射频不是一个简单的元器件，而是一个涉及多个半导体器件的解决方案。
作为这个市场的领导者之一，飞思卡尔半导体提供广泛的射频低功率产品组合，满足目前复杂且具有挑战性的应用及市场需求。从通用放大器、增益模块、信号控制产品到功能丰富的低噪声放大器和高性能RFIC，飞思卡尔利用各种基于III-V的技术和先进的SiGe芯片工艺为客户提供解决方案，满足无线基础设施、无线通信、蜂窝通信、工业、科学和医疗、汽车及其他市场等多样化的市场需求：
可靠性/耐用性/稳定性
关键任务应用
严酷、非受控环境
降低设备尺寸
更小的车型
降低安装成本
在不增加设备尺寸的前提下增加性能
降低安装成本
多频段 / 多模移动无线电
在射频应用中，无线电通信是其中最重要的一个，随着无线电通信逐渐在可靠性/耐用性/稳定性等方面的苛刻要求，以及降低设备尺寸和安装成本的要求，还有增加多频段和多模移动无线电的需求，所需要的射频技术的标准也越来越严格，包括信号发射功率大，系统的整体效率高，线性特性要好，增益要高，同时系统的成本和复杂度也要尽可能小，尺寸也不能太大等等。飞思卡尔的技术优势主要体现在几个方面，包括：
1.广泛的器件适用范围广
电压：3.5V to 50V
频率：10MHz to 4GHz
功率 >1200W
2.针对不同应用的半导体材料
Si-LDMOS（广泛适用中大功率）
GaN（适用大功率，高频高效高成本）
GaAs（适用低功率，多级多集成）
3.提高的健壮性和可靠性
峰值电压：原65V的提高到70V
失配驻波：可达到 65:1
结温：从200?C 提高到 225? C
4.领先的封装
在陶瓷和塑封，都提高了功率密度
提高了超模塑封器件的电性能
集成更多的功能和级数
5.提供LDMOS、GaN和GaAs供客户充分选择，虽然LDMOS占据海量发货的蜂窝通信的主导地位。
为了适应市场应用的需求，充分发挥飞思卡尔在射频功率器件和系统方案上的优势，飞思卡尔针对最新的射频需求推出了两款全新的产品：MMZ25333B和AFT05MS006N。
采用InGaP GaAs HBT技术的多级功率放大器飞思卡尔MMZ25333B，是首款2W集成式功率放大器，采用5V电源，可提供超过40dB 的增益，可覆盖1500 MHz至2700 MHz的所有频段。该组件可支持在该频率下运行的任何蜂窝标准，其中包括GSM、3G、4G 和 LTE。它具备多功能、高增益特性， 适用于宏基站中的驱动器和预驱动器应用，以及小基站中的末级应用放大器。其超高的性能和PA集成可帮助客户减少部件数量，提高供应链的效率，并优化成本。由于该器件可用于多个平台和频段，因此它可在不同的项目间重复使用，大大简化了供应链库存。
