Vishay利用PowerPAK®封装的新款-40V和-30V MOSFET扩充Gen III P沟道产品-产品信息-自动化新闻网

Vishay利用PowerPAK®封装的新款-40V和-30V MOSFET扩充Gen III P沟道产品

发布日期：2013-07-15 来源：Vishay Intertechnology, Inc作者：网络

　　首款40V P沟道Gen III器件，首款PowerPAK 1212-8S封装的30V MOSFET

　　宾夕法尼亚、MALVERN — 2013 年 7 月12 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出采用PowerPAK? 1212-8封装的-40V---SiS443DN和PowerPAK? 1212-8S封装的-30V---SiSS27DN器件，扩充其TrenchFET? Gen III P沟道功率MOSFET。Vishay Siliconix SiS443DN在-10V和-4.5V栅极驱动下具有业内较低的导通电阻，是首款-40V P沟道Gen III器件；SiSS27DN是首款采用PowerPAK 1212-8S封装的-30V MOSFET。

　　SiS443DN和SiSS27DN适用于24V、19V和12V负载开关，以及移动计算、智能手机和平板电脑中电源管理等各种应用的适配器和电池开关。这些器件的低导通电阻在业内领先，使设计者能够在电路里实现更低的压降，更有效地使用能源，并延长电池使用时间。

　　在需要更高电压的应用里，3.3mm x 3.3mm PowerPAK 1212-8封装的-40V SiS443DN提供11.7mΩ(-10V)和16mΩ(-4.5V)的最高导通电阻。在导通电阻非常重要的场合，SiSS27DN提供了极低的5.6mΩ(-10V)和9mΩ (-4.5V)导通电阻，采用高度0.75mm的PowerPAK 1212-8S封装。

SiS443DN和SiSS27DN进行了100%的Rg和UIS测试。MOSFET符合JEDEC JS709A的无卤素规定，符合RoHS指令2011/65/EU。

器件规格表：

型号		SiSS27DN	SiS443DN
V_DS(V)		-30	-40
V_GS(V)		20	20
R_DS(ON) (mΩ) @	10 V	5.6	11.7
	6 V	7	-
	4.5 V	9	16
	封装	PowerPAK 1212-8S	PowerPAK 1212-8

新款P沟道MOSFET现可提供样品，并已实现量产，大宗订货的供货周期为十四周到十六周。

VISHAY简介

Vishay Intertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市（VSH）的“财富1000 强企业”，是全球分立半导体（二极管、MOSFET和红外光电器件）和无源电子元件（电阻器、电感器、电容器）的最大制造商之一。这些元器件可用于工业、计算、汽车、消费、电信、军事、航空航天、电源及医疗市场中几乎所有类型的电子设备和装备。凭借产品创新、成功的收购战略，以及“一站式”服务使Vishay成为了全球业界领先者。有关Vishay的详细信息，敬请浏览网站 www.vishay.com。