自去年7月以来，三菱电机（www.MitsubishiElectric-mesh.com）发布了一系列碳化硅（SiC）功率模块，这些产品将于今年6月18日至20日在上海世博展览馆举行的PCIM亚洲展 2013（展位号：402）中隆重亮相。
众所周知，目前市场上采用的功率模块的IGBT芯片大多采用硅材料制造，但是业界对硅（Si）材料的性能利用已接近极限。与Si相比，SiC的禁带宽度是Si的3倍，临界击穿电场强度是Si的10倍，电子饱和速率是Si的2倍。
与传统的Si功率器件相比，SiC功率器件具有关断拖尾电流极小、开关速度快、损耗低、耐高温的特性。采用SiC功率器件开发电力电子变流器，能提高功率密度，缩小装置体积；提升变流器效率；提高开关频率，缩小滤波器体积；确保高温环境下运行的可靠性；还易于实现高电压大功率的设计。SiC功率器件可广泛用于节能、高频和高温三大电力电子系统。
三菱电机迄今为止发布的SiC功率模块，包括用于变频空调的600V/15A混合SiC DIPIPMTM、600V/20A混合SiC DIPPFCTM、600V/20A全SiC DIPPFCTM，用于工业设备的1200V/75A混合SiC-IPM、1200V/800A全SiC模块、600V/200A混合SiC-IPM，以及用于铁路牵引的1700V/1200A混合SiC-HVIGBT。
* 混合SiC模块：主开关采用Si-IGBT，续流二极管采用SiC-SBD
* 全SiC模块： 主开关采用SiC-MOSFET，续流二极管采用SiC-SBD
* DIPIPMTM： 三菱电机注册商标，双列直插式智能功率模块
* DIPPFCTM： 三菱电机注册商标，双列直插式功率因数校正模块
本次展会，除了展示以上SiC功率模块，三菱电机还将同步展出多个系列的新型功率模块，包括最新的工业用DIPIPMTM、家电用第6代DIPIPM TM、变频冰箱用MOS-DIPIPM TM、新一代IPM、第6.1代IGBT模块、第6代T型三电平IGBT模块、第6代新型MPD模块、R系列HVIGBT， J系列汽车用EV T-PM模块和EV-IPM。
为了方便客户采用新型功率模块开发变流器产品，三菱电机还将展示多种变流器整体解决方案，包括基于第5代DIPIPM TM的变频空调驱动器、基于MOS-DIPIPM TM的变频冰箱驱动器、基于工业DIPIPMTM的伺服驱动器、风电变流器功率组件MPDStacK和100kW T型三电平并网逆变器等。
作为全球首家掌握功率半导体硅片技术和封装技术的公司，三菱电机将积极致力于基于新材料的开发和应用，努力为电力电子业界奉献高性能和高可靠性的功率半导体模块。
三菱电机机电（上海）有限公司简介
三菱电机创立于1921年，是全球知名的综合性企业集团。在最新的《财富》500强排名中，名列第214。
作为一家技术主导型的企业，三菱电机拥有多项领先技术，并凭强大的技术实力和良好的企业信誉在全球的电力设备、通信设备、工业自动化、电子元器件、家电等市场占据着重要的地位。
三菱电机机电（上海）有限公司把弘扬国人智慧，开创机电新纪元视为责无旁贷的义务与使命。凭借优越的技术与创造力贡献产业的发展以促进社会繁荣。
三菱电机半导体产品包括三菱功率模块（IGBT、IPM、DIPIPMTM、HVIGBT、MOSFET等）、三菱微波/射频和高频光器件、光模块等产品，其中三菱功率模块在电机控制、电源和白色家电的应用中有助于您实现变频、节能和环保的需求；而三菱系列光器件和光模块产品将为您在各种模拟/数字通讯、有线/无线通讯等应用中提供解决方案。
更多信息，请登陆三菱电机机电（上海）有限公司网站：http://www.MitsubishiElectric-mesh.com或三菱电机半导体全球网站：www.mitsubishielectric.com/semiconductors。
