Si7655DN的应用将包括工业系统中的负载开关和热插拔，适配器、电池和充电电路中的负载开关，智能手机、平板电脑和其他移动计算设备中的电源管理。Si7655DN还可以用于固话电信、蜂窝电话基站和服务器/计算机系统中的冗余开关、OR-ing和监管应用。
利用新的PowerPAK 1212封装型号和Vishay Siliconix业内领先的P沟道Gen III技术，Si7655DN具有3.6mΩ(-10V)、4.8mΩ(-4.5V)和8.5mΩ(-2.5V)的最大导通电阻。这些性能规格比最接近的-20V器件提高17%或更多。
Si7655DN的低导通电阻使设计者能够在电路中实现更低的压降，更有效地使用电能，让电池运行的时间更长，且3.3mm x 3.3mm x 0.75mm PowerPAK 1212-8S封装将有助节省宝贵的空间。
Si7655DN是Vishay的TrenchFET Gen III P沟道MOSFET系列中的最新成员。有关TrenchFET Gen III系列的更多信息，见www.vishay.com/doc?49996。
新的Si7655DN现可提供样品，并已实现量产，大宗订货的供货周期为十二周到十四周。
