（图一：罗姆“全SiC”功率模块）
特点：
①开关损耗降低85%。内置最先进的SiC-SBD与SiC-MOSFET的“全SiC”模块，
与传统的Si-IGBT相比，开关损耗可降低85%
②与传统的400A级别的Si-IGBT模块相替换时，体积减小约50%
③损耗低，因此发热少，可减小冷却装置体积，实现设备整体的小型化
据悉，通过罗姆开发出的独创的缺陷控制技术和筛选法，使可靠性得以确保。另外，针对SiC制备过程中特有的1700℃高温工序，为了防止其发生特性劣化，罗姆开发了控制技术，于世界首家确立了"全SiC"功率模块的量产体制。罗姆将以SiC为首的功率元件事业作为发展战略之一定位，今后，加强实现更高耐压、更大电流的SiC元件/模块的产品阵容的同时，不断推进完善SiC 沟槽式MOSFET和SiC -IPM(智能电源模块)等SiC相关产品的阵容与量产化。
（图二：罗姆面向车载“内置绝缘元件的门极驱动”）
●特点：①采用罗姆自主研发的无铁芯变压器技术，内置2,500Vrms绝缘元件
②小型封装：与以往产品相比，封装面积降低50%以上 SSOP-B20W（6.5mm×8.1mm H=Max2.01mm）
③搭载所有车载变频器电路的保护功能，实现安全设计：米勒钳位功能、故障输出功能、
低电压时防止误操作功能、热保护功能、短路保护功能、短路保护时软关断功能
（图三：罗姆适用大电流的“超低阻值跳线电阻 －金属板型－）
（图四：罗姆适用于面向太阳能电池组件的“低VF、高可靠性肖特基势垒二极管）
（图五：罗姆面向高效率电源回路的“高耐压超级接点MOSFET）
电力电子元件方面，罗姆半导体将展出应用于电流线路变更时的循环、电源线路的切换、电路设计的简易化的“适用大电流的“超低阻值跳线电阻 －金属板型”（图三），它具有：降低大电流电源电路的电压漏失；导通阻值0.5ｍΩMax.（厚膜跳线电阻的1/100）；适用大电流（15.8A～63.2A）；适用于从便携设备到车载设备的大范围需求；实现完全无铅化以及额定电流与以往产品相比为20倍以上等特点。
另一款是“适用于面向太阳能电池组件的低VF、高可靠性肖特基势垒二极管”（图四），应用于电源（二次整流电路）、太阳能电池板用分线盒等，具有提高电流效率，实现低VF化和满足Tj=175℃的特点。图五是罗姆面向高效率电源回路的“高耐压超级接点MOSFET”应用于高效率电源回路，具有低导通电阻、低噪音和可进行小型封装的良好特点。
PCIM是电力转换与智能运动的英文缩写，为来自电力电子产品及其驱动技术和变电质量应用界的广 大专业人士提供了一个良好的交流平台，使他们有机会领略电力电子产品和系统领域的最新研发成果。其展览会与研讨会内容涵盖分立器件、无源器件、电源管理与IC、散热管理以及测试测量、伺服技术和测试设备等。更多信息尽在www.pcim-asia.com
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罗姆半导体诚邀您的光临！
时间：2012/6/19-6/21
地点：上海世博展览馆4号馆 国展路1099号
展位：507
关于罗姆：
罗姆（ROHM）是全球著名半导体厂商之一，创立于1958年，是总部位于日本京都市的跨国集团公司。"品质第一"是罗姆的一贯方针。我们始终将产品质量放在第一位。无论遇到多大的困难，都将为国内外用户源源不断地提供大量优质产品，并为文化的进步与提高作出贡献。
历经半个多世纪的发展，罗姆的生产、销售、研发网络遍及世界各地。产品涉及多个领域，其中包括IC、分立半导体、光学半导体、被动元件以及模块产品。在世界电子行业中，罗姆的众多高品质产品得到了市场的许可和赞许，成为系统IC和最新半导体技术方面首屈一指的主导企业。
罗姆十分重视中国市场，已陆续在全国设立多家代表机构，在大连和天津先后开设工厂，并在上海和深圳设立技术中心和品质保证中心提供技术和品质支持。
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