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开始发售功率半导体「1200V SiC-SBD」

为降低电源系统的耗电量、缩小其体积做出贡献

发布日期:2019-04-04 浏览次数:479
 三菱电机株式会社作为为降低太阳能发电和EV用充电器等电源系统的耗电量、缩小其体积做出贡献的功率半导体新产品,对于采用了SiC※1耐压1200V的「1200V SiC-SBD※2」5型将于2019年6月开始提供样本,从2020年1月起依次发售。本产品将在“TECHNO-FRONTIER 2019 -MOTORTECH JAPAN-”(4月17日~19日于日本幕张举行), “PCIM Europe2019展”(5月7~9日于德国纽伦堡举行), “PCIM※1 Asia2019展”(6月26~28日于中华人民共和国上海举行)上展出。

※1 Silicon Carbide:碳化硅
※2 Schottky Barrier Diode:肖特基势垒二极管



新产品特点

1、通过采用碳化硅,有利于降低系统损耗和体积

  • 通过使用碳化硅大幅降低开关损耗,降低约21%的电力损耗※3

  • 实现高速开关,有利于缩小电抗器等配套零部件的体积

※3 与内置PFC电路的三菱电机产品功率半导体模块“DIPPFCTM”上搭载的Si(硅)二极管相比

 

2、通过采用JBS结构,提高可靠性

  • 采用pn结与肖特基结相结合的JBS※4结构

  • 通过JBS结构提高浪涌电流耐量,从而提高可靠性

※4 Junction Barrier Schottky

 

3、由5个产品构成的产品阵容可对应各种各样的用途

  • 除了通常的TO-247封装外,还采用了扩大绝缘距离的TO-247-2封装

  • 除民用品外还可对应工业等各种各样的用途

  • 产品阵容中还包括符合AEC-Q1015的产品(BD20120SJ),也可对应车载用途

5 Automotive Electronics Council:车载电子零部件质量规格

 
 

新产品发售概要

 

 

销售目标

近年来,出于节能环保的考虑,人们对能够大幅降低电力损耗或利用SiC实现高速开关的功率半导体的期待逐渐高涨。三菱电机自2010年起陆续推出了搭载SiC-SBD、SiC-MOSFET※6的SiC功率半导体模块,广泛应用于空调以及工业机械、铁路车辆的逆变器系统等,为降低家电及工业机械的耗电量,缩小其体积和重量做出了贡献。

在这一背景下,此次将发售采用了SiC的功率半导体“SiC-SBD”。在电源系统中应用“SiC-SBD”,将为降低客户的系统耗电量,缩小体积做出贡献。


 

 

主要规格

 


※7  8.3msec, sine wave

 

SiC-SBD系列的产品阵容

粗框内为本次的新产品。









 

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