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英飞凌碳化硅功率半导体成功应用于丰田“bZ4X”新车型

发布日期:2026-02-28 来源:英飞凌作者:网络
 2026228日,德国慕尼黑和日本东京讯】英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)近日宣布,全球最大汽车制造商丰田已在其新款车型bZ4X中采用了英飞凌的CoolSiC™ MOSFET(碳化硅功率MOSFET)产品。这款碳化硅MOSFET集成在车载充电器(OBC)和DC/DC转换器中,利用碳化硅材料低损耗、耐高温、耐高压的特性和优势,能够有效延长电动汽车的续航里程并缩短充电时间。

 

 

丰田新款bZ4X车型在车载充电器与DC/DC转换器中采用了英飞凌CoolSiC技术

图片由丰田提供

 

英飞凌科技执行副总裁、汽车业务首席营销官Peter Schaefer表示:全球最大的汽车制造商之一丰田选用了英飞凌的CoolSiC技术,对此我们深感自豪。碳化硅能够有效提升电动汽车的续航能力、效率和性能,因此也将在塑造未来交通出行的过程中发挥重要作用。英飞凌矢志创新,承诺零缺陷品质,已做好充分准备,蓄势待发,以应对电动交通出行领域功率电子需求的快速增长。

 

英飞凌CoolSiC™ MOSFET采用独特的沟槽栅结构,可降低归一化导通电阻并缩减芯片尺寸,从而减少导通和开关损耗,有助于提升汽车车载电源系统的效率。此外,经过优化的寄生电容和栅极阈值电压支持单极栅极驱动,不仅有助于简化汽车电驱系统的驱动电路设计,也能为车载充电器和DC/DC转换器实现高密度、高可靠性的设计提供支持。

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