凭借英飞凌的 CoolSiC™ MOSFET G2 技术，新产品较上一代 CoolSiC™ MOSFET功率密度提升超过30%，使用寿命延长高达 20 倍。此外，该产品的导通电阻（RDS(on)）显著降低约 25%。不仅如此，全新的 EasyPACK™ C 封装设计理念进一步提高了功率密度与布局灵活性，为未来更高电压等级的产品设计奠定了基础。而英飞凌的.XT 互连技术进一步延长了器件的使用寿命。
英飞凌CoolSiC™ MOSFET Easy 2C .XT
该系列模块可承受结温（Tvj(over)）高达 200°C 的过载开关工况。搭载全新 PressFIT 压接引脚，其电流承载能力提升一倍，同时降低PCB板的温度，并优化安装流程。全新的塑封材质与硅凝胶设计，支持该模块在最高 175°C 的结温（Tvj(op)）下依然稳定运行。此外，该系列模块还具备一分钟内耐受3千伏交流电的隔离等级。这些特性共同助力该模块实现更卓越的系统能效、更长的使用寿命，以及更出色的耐高温性能。
采用 EasyPACK™ C 封装的全新模块提供多种拓扑结构，包括三电平（3-level）和 H 桥（H-bridge）配置，且同时提供含/不含热界面材料的两种版本。
供货情况
首款采用 EasyPACK™ C 封装且集成 CoolSiC™ MOSFET G2 技术的模块现已上市。英飞凌计划进一步拓展产品组合，以满足不同应用领域不断变化的需求。更多信息，敬请访问：www.infineon.com/products/power/mosfet/silicon-carbide/modules。
