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第11讲:三菱电机工业SiC芯片技术

发布日期:2025-09-05 来源:三菱电机半导体作者:网络

        截至2024年,三菱电机已量产第二代平面栅SiC MOSFET芯片,并配套于各种模块实现产品化。图1显示了第二代平面栅SiC MOSFET的MOS元胞截面结构及其特点。首先,使用n型离子注入技术(JFET掺杂)来优化MOS元胞JFET区的结构,降低了JFET区域的电阻。此外,与以往相比,缩小了MOS元胞的尺寸,通过提高MOS沟道密度来降低电阻,并通过使SiC衬底更薄来降低电阻。通过这些改进,如图2所示,三菱电机的第二代SiC MOSFET与第一代相比,导通电阻降低了30%以上。此外,用于保持第二代SiC MOSFET耐压的终端结构采用了FLR(Field Limiting Ring),形成适当的表面保护膜。 

 






 


 
 
 
 
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