采用 Q-DPAK 封装的CoolSiC™ MOSFET 1200 V G2
这款CoolSiC 1200 V G2所采用的技术相较于上一代产品有显著的提升，可在导通电阻（Rds(on)）相同的情况下，开关损耗降低达25%，系统效率提升0.1%。基于英飞凌先进的.XT扩散焊技术，，G2系列产品的热阻相较于G1系列降低15%以上，MOSFET温度也降低了11%。凭借4 mΩ至78 mΩ的出色导通电阻和丰富的产品组合，设计人员能够灵活使用，提高系统性能，满足目标应用需求。此外，新技术支持在高达200°C结温（Tvj）下的过载运行，并具备出色的抗寄生导通能力，确保在动态且严苛的工况下实现可靠运行。
英飞凌CoolSiC MOSFET 1200 V G2提供单开关和双半桥两种Q-DPAK封装。两种型号均属于英飞凌更广泛的X-DPAK顶部散热平台。所有顶部散热（TSC）版本（包括 Q-DPAK 和 TOLT）的封装厚度统一为2.3 mm，具备高度的设计灵活性，使客户能够在单一散热器组件下灵活扩展和组合不同产品。这种设计灵活性简化了先进功率系统的开发，便于客户根据需求定制和扩展其解决方案。
Q-DPAK封装通过实现器件顶部与散热器之间的直接热传导，显著提升散热性能。与传统底部散热封装相比，这种直接热传导路径能够显著提高热传导效率，使系统设计更加紧凑。此外，Q-DPAK封装的布局设计大幅减少了寄生电感，对提高开关速度至关重要，有助于提升系统效率，并降低电压过冲风险。 。该封装由于占用空间小，适用于紧凑的系统设计，其与自动化装配流程的兼容性简化了制造过程，确保了成本效益和可扩展性。
供货情况
采用Q-DPAK单开关和双半桥封装的CoolSiC™ MOSFET 1200 V G2现已上市。更多信息，敬请访问：https://www.infineon.cn/products/power/mosfet/silicon-carbide/discretes。
