英飞凌CoolSiC™ MOSFET 750 V G2
凭借4 mΩ和7 mΩ的超低导通电阻，MOSFET在静态开关应用中拥有出色的表现，并成为eFuse、高压电池关断开关、固态断路器和固态继电器等应用的理想选择。英飞凌创新的Q-DPAK顶部散热式封装专为提供领先的热性能和可靠性设计， R DS(on) 值低至4 mΩ，实现行业内最佳规格。
该技术还具有领先的R DS(on) x Q OSS 和更佳的R DS(on) x Q fr，可减少硬开关和软开关拓扑结构中的开关损耗，在硬开关应用场景中效率尤为出色。由于栅极电荷减少，该技术可实现更快的开关速度并降低栅极驱动损耗，提高了在高频率应用中的效率。
此外，CoolSiC™ MOSFET 750 V G2在25°C时具有高电压阈值（V GS(th),typ 为4.5 V）和超低Q GD/Q GS 比，进一步提高了对寄生导通（PTO）的抗扰性。该技术还支持栅极驱动能力扩展，可承受最高-7 V的静态栅极电压及最高-11 V的瞬态栅极电压。这一更高的电压耐受性为工程师提供了更大的设计余量，保证了与市场上其他产品更高的兼容性。
CoolSiC™ 750 V G2具有出色的开关性能、极佳的易用性和优异的可靠性，并且完全符合AEC Q101车规级部件标准和JEDEC工业级部件标准。该技术通过实现更加高效、紧凑和经济的设计，满足了日益增长的市场需求，展现了英飞凌在安全关键型汽车应用可靠性和耐用性上的投入。
供货情况
英飞凌的CoolSiC™ MOSFET 750 V G2 Q-DPAK 4/7/16/25/60 mΩ样品现已开放订购。更多信息，敬请访问www.infineon.com/coolsic-750v。
