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基于IVCC1104和 ICeGaN®的2.5kW图腾柱无桥PFC方案

发布日期:2025-05-21 来源:瞻芯电子作者:网络
 近期碳化硅(SiC)功率器件与IC解决方案领先供应商瞻芯电子Cambridge GaN Devices(CGD)合作,基于成熟2.5kW CCM模式图腾柱无桥PFC参考设计,仅简单改动把原功率器件换成集成驱动GaN器件ICeGaN®产品,其测试表现稳定,效率高达98.7%方案的成功不仅再次验证了基于模拟控制芯片(IVCC110x)图腾柱PFC电路的简单、高效而且表明ICeGaN®产品良好的易用性和卓越可靠性

Cambridge GaN Devices(CGD)是一家无晶圆氮化镓(GaN)功率器件生产商,致力于开发节能高效GaN功率管和IC。该公司专利产品ICeGaN®通过高度的集成化,极大地简化设计流程,加速产品落地。



1方案实测效率曲线

CGD技术市场与业务拓展总监 Di Chen 表示:

瞻芯电子现有的2.5kW图腾柱PFC参考设计方案是基于TO-247封装, 通过一块半桥适配子板,替换为ICeGaN® P2列的25mΩ GaN IC,在不修改驱动、控制策略、电路拓扑的情况下,即可正常运行。测试结果证明了ICeGaN® 大幅缩短工程师学习和新品开发周期,加GaN在大功率电源设计的导入和产品落地。同时,也对瞻芯电子的CCM PFC控制器芯片IVCC1104的高性能和极致性价比,印象非常深刻。

瞻芯电子首席技术官叶忠博士评价:
ICeGaN®器件2.5kWPFC首次上电就能工作,开波形干净尽管DFN封装需通过TO247-4适配板焊接至主功率版,且栅极驱动和驱动电源走线较长从空载到满载均未发现异常或直通现象,展现出极强的抗噪性、易用性与高效能。这个项目的demo成功,再一次展现出瞻芯电子CCM TTP PFC控制芯片在适配宽禁带半导体器件,包括SiC MOSFET和GaN FET,以实现下一代高性能电源方案的便捷性和高效性。

基于IVCC1104ICeGaN的2.5kW PFC方案

这款方案选用简单、高效的图腾柱PFC拓扑,采用模拟PFC控制芯片,搭配SiCGaN功率器件作为高频开关都能大幅简化器件选型,降低物料成本,加快电源产品的开发速度因此已开发多种衍生PFC电源方案功率范围覆盖330W~3000W展示优秀的性能效率表现


图2:2.5 kW图腾柱PFC方案样机


图3:图腾柱无桥PFC工作原理

主控芯片:采用模拟图腾柱PFC控制芯片IVCC1104,内置高速、精确、可靠的模拟控制器,相比于数字控制芯片,封装更紧凑(16pin),无需编程调试,还能解决一系列控制难点,保障开关电源方案的高效率、高可靠性,助力产品快速开发与推广。


图4:2.5 kW图腾柱PFC主控制板

 

高频开关管:选用ICeGaN® IC(CGD65C025SP2)将栅极接口电路、保护功能与主功率管单片(650V/25mΩ GaN HEMT)集成,可直接和瞻芯电子IVCR1401驱动或市售通用Si/SiC驱动芯片兼容,只需进行简单的改动就可以无缝替换传统的Si器件,实现效能提升。

图4:ICeGaN@IC产品

测试环境介绍

在瞻芯电子的2.5kW图腾柱PFC方案中,把原650V SiC MOSFET换装ICeGaN®IC产品CGD65C025SP2,并沿用栅极驱动IVCR1401芯片。



图5:lCeGaN®IC产品在原方案应用

空载启动波形:



点评:空载启机的电流无异常大电流,波形比较平滑。

 

负载1250W,Vin AC=115V空载上电测试波形



负载2500W,Vin AC=230V空载上电测试波形:



点评:与使用瞻芯SiC MOSFET一样,AC电流过零点的波形都非常平滑,无尖峰和明显的台阶,IVCC110x的专利过零点技术在此体现的很好。


图6:PFC方案功率因数



图7:PFC方案THD谐波数据

 

该方案验证成功,再次表明IVCC1104芯片不论搭配碳化硅(SiC)器件或氮化镓(GaN)器件,都能极大的缩短工程师开发产品的周期,降低应用门槛,带来更大的项目收益。

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